ZHCSEJ1C December 2015 – September 2024 TPS7H3301-SP
PRODUCTION DATA
3 說明
TPS7H3301-SP 是一款具有內置 VTTREF 緩沖器的 TID 和 SEE 耐輻射雙倍數據速率 (DDR) 3A 終端穩壓器。該穩壓器專門設計用于為單板計算機、固態記錄器和有效載荷處理等航天 DDR 端接應用提供完整的緊湊型低噪聲解決方案。
TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應用。憑借快速瞬態響應，TPS7H3301-SP VTT 穩壓器可在讀取/寫入狀態下提供非常穩定的電源。在瞬變期間，VTTREF 電源的快速跟蹤功能可以更大限度地減少 VTT/Vo 和 VTTREF 之間的任何失調電壓。為了實現簡單的電源時序，TPS7H3301-SP 中集成了使能輸入和電源正常輸出 (PGOOD)。PGOOD 輸出是開漏輸出，因此可在所有電源進入穩壓狀態時將其與多個開漏輸出相連來進行監控。使能信號還可用于在掛起至 RAM (S3) 斷電模式期間使 VTT/Vo 放電。
器件信息(1)
| 器件型號(3) | 等級 | 封裝 |
|---|---|---|
| 5962R1422801VXC(2) | 耐輻射等級 RHA 100krad(Si) | 16 引腳 CFP 9.60mm × 11.00mm 重量：1.55g(5) |
| 5962-1422801VXC(2) | 耐輻射等級 QMLV | |
| TPS7H3301HKR/EM | 工程模塊(4) | |
| TPS7H3301EVM-CVAL | 陶瓷評估板 | EVM |
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數據表末尾的可訂購產品附錄。
(2) 有關詳細信息，請參閱輻射報告。
(3) 適用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4對于 DDR，標稱輸入電壓 = 3.3V。對于 DDR1，VIN 為 2.95 至 3.5V；對于所有 DDR，VLDOIN > VTT/VO。
對于 DDR2 3A 負載條件，VIN 為 2.45 至 3.5V。
VIN 余量：VIN_MIN ≥ VTT/VO + 1.5V。
對于 DDR2 3A 負載條件，VIN 為 2.45 至 3.5V。
VIN 余量：VIN_MIN ≥ VTT/VO + 1.5V。
(4) 這些器件僅適用于工程評估。按非合規性流程對其進行了處理（即未進行老化處理等操作）并且僅在 25°C 的額定溫度下進行了測試。這些器件不適用于鑒定、量產、輻射測試或飛行。也不保證這些器件在 MIL 規定的 –55°C 至 125°C 完整溫度范圍內或運行壽命中的性能。
(5) 重量誤差在 ±10% 以內。
標準 DDR 應用