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ZHCSTA1A September 2023 – June 2024 TPS6521905-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RHB|32
- MPQF130D

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

RHB|32
- QFND643

訂購信息

5.3 建議運行條件

在自然通風條件下的工作溫度范圍內測得（除非另有說明）

POS			最小值	標稱值	最大值	單位
3.1.1	V_VSYS	輸入電壓	2.5 ⁽¹⁾		5.5	V
3.1.2	V_{PVIN_B1}、V_{PVIN_B2}、 V_{PVIN_B3} V_{LX_B1}、V_{LX_B2}、 V_{LX_B3}	BUCKx 引腳	2.5		5.5 ⁽²⁾	V
3.1.3	ΔV_{VSYS_PVIN_Bx}	達到此電壓時，V_{PVIN_Bx}可能超過 V_VSYS			0	mV
3.1.4	ΔV_{VSYS_PVIN_LDO1,LDO2}	達到此電壓時，V_{PVIN_LDO1}或 V_{PVIN_LDO2} 可能超過 V_VSYS			0	mV
3.1.5	ΔV_{VSYS_VLDO34}	達到此電壓時，V_VSYS 必須超過 LDO 輸出電壓（VLDO3、VLDO4）；V_VSYS = 2.5V 至 3.45V；LDO 模式	150			mV
3.1.6	ΔV_{VSYS_VLDO34}	達到此電壓時，V_VSYS 必須超過 LDO 輸出電壓（VLDO3、VLDO4）；V_VSYS = 3.45V 至 5.5V（在 LDO 模式下）或 V_VSYS = 2.5V 至 5.5V（在 LSW 模式下）	不適用			mV
3.1.7	C_{PVIN_B1}、C_{PVIN_B2}、 C_{PVIN_B3}	BUCKx 輸入電容	3.9	4.7		μF
3.1.8	L_B1、L_B2、L_B3	BUCKx 輸出電感	330	470	611	nH
3.1.9a	C_{OUT_B1}、C_{OUT_B2}、 C_{OUT_B3}	BUCKx 輸出電容、強制 PWM 或自動 PFM、低帶寬情況	10		75	μF
3.1.10a	C_{OUT_B1}、C_{OUT_B2}、 C_{OUT_B3}	BUCKx 輸出電容、強制 PWM 或自動 PFM、高帶寬情況	30		220	μF
3.1.11	V_{FB_B1}、V_{FB_B2}、 V_{FB_B3}	BUCKx FB 引腳	0		5.5 ⁽²⁾	V
3.1.12	V_{PVIN_LDO1}、V_{PVIN_LDO2}	LDO 輸入電壓	1.5		5.5 ⁽²⁾	V
3.1.13	V_{PVIN_LDO1}、V_{PVIN_LDO2}	旁路模式下的 LDO 輸入電壓	1.5		3.6	V
3.1.14	V_{PVIN_LDO1}、V_{PVIN_LDO2}	旁路模式下 V_{PVIN_LDOx} 與配置的 V_VLDOx 之間允許的增量	-200		200	mV
3.1.15	V_VLDO1、V_VLDO2	LDO 輸出電壓范圍	0.6		3.4	V
3.1.16	C_{PVIN_LDO1}、C_{PVIN_LDO2}	LDO 輸入電容	1.6	2.2		μF
3.1.17	C_VLDO1、C_VLDO2	LDO 輸出電容	1.6	2.2	20	μF
3.1.18	V_{PVIN_LDO3}、V_{PVIN_LDO4}	LDO 輸入電壓	2.2		5.5 ⁽²⁾	V
3.1.19	V_VLDO3、V_VLDO4	LDO 輸出電壓范圍	1.2		3.3	V
3.1.20	C_{PVIN_LDO34}	LDO 輸入電容	2.2	4.7		μF
3.1.21	C_VLDO3、C_VLDO4	LDO 輸出電容	1.6	2.2	30 ⁽³⁾	μF
3.1.22	V_VDD1P8	VDD1P8 引腳	0		1.8	V
3.1.23	C_VDD1P8	內部穩壓器去耦電容	1	2.2	4	μF
3.1.24	C_VSYS	VSYS 輸入去耦電容	1	2.2		μF
3.1.25	V_nINT、V_nRSTOUT	數字輸出	0		3.4	V
3.1.26	V_GPO1、V_GPO2、V_GPIO	數字輸出	0		5.5 ⁽²⁾	V
3.1.27	V_SCL、V_SDA	I2C 接口	0		3.4	V
3.1.28	V_EN/PB/VSENSE、V_MODE/STBY、 V_MODE/RESET、 V_{VSEL_SD/VSEL/DDR}	數字輸入	0		5.5 ⁽²⁾	V
3.2.1	t_{VSYS_RAMP_RISE}	輸入電壓斜升時間、輸入電壓由前置穩壓器控制。 V_VSYS = V_{PVIN_Bx} = V_{PVIN_LDOx} = 0V 至 5V	0.1		600000	ms
3.2.2	t_{VSYS_RAMP_FALL}	輸入電壓斜降時間，V_VSYS = V_{PVIN_Bx} = V_{PVIN_LDOx} = 5V 至 2.5V	0.4		600000	ms
3.3.1	T_{A_}	自然通風條件下的工作溫度范圍	-40		125	°C
3.3.2	T_{J_}	工作結溫	-40		150	°C

(1) 對于 EEPROM 編程，VSYS(min)=3.3V

(2) 不得超過 VSYS

(3) 在慢速斜坡模式下。快速斜坡最大支持 15μF