可檢測的故障

TPS6521905-Q1 提供各種故障檢測。默認情況下，所有這些故障都會導致定序關斷。其中一些是可屏蔽的，并且對已屏蔽故障的反應是可配置的。

該器件在電源電壓 (VSYS) 和內部電源電壓 (VDD1P8) 上提供以下故障檢測：

• VSYS 上的欠壓，導致轉換到 OFF 狀態或門控啟動
• VSYS 上的過壓保護，導致轉換到 OFF 狀態
• 內部 1.8V 電源 (VDD1P8) 上的欠壓或過壓，導致轉換到 OFF 狀態或門控啟動。

這些故障均不可屏蔽。

TPS6521905-Q1 在降壓和 LDO 輸出端提供以下故障檢測：

• 欠壓檢測 (UV)
• 過流檢測 (OC)，達到正電流限值和（對于降壓轉換器）負電流限值時觸發
• 接地短路檢測 (SCG)
• 溫度警告 (WARM) 和熱關斷 (TSD / HOT)
• 殘余電壓 (RV) 和殘余電壓 - 關斷 (RV_SD)
• 超時 (TO)

對 UV、RV 和 WARM 故障的反應是可配置的。如果未屏蔽，故障會觸發定序關斷。可以在 INT_MASK_BUCKS、INT_MASK_LDOS 和 INT_MASK_WARM 寄存器中為每個穩壓器單獨屏蔽 UV、RV 和 WARM。在發生屏蔽故障的情況下不會進行狀態轉換。可以通過 MASK_CONFIG 寄存器中的 MASK_EFFECT 位全局配置是否設置了位以及 nINT 是否拉至低電平。每個穩壓器的正負電流限值共用同一掩碼位。

• 00b = 無狀態變化，無 nINT 反應，未設置位
• 01b = 無狀態變化，無 nINT 反應，設置了位
• 10b = 無狀態變化，nINT 反應，設置了位（與 11b 相同）
• 11b = 無狀態變化，nINT 反應，設置了位（與 10b 相同）

對于任何與關斷條件對應的故障，故障位將保持有效狀態，直到通過 I2C 執行 W1C（寫 1 清除）操作（假設故障不再存在）。如果出現關斷故障，則無需更新 ON 請求。如果只要 EN/VSENSE 仍為高電平并且無需按下按鈕即可重新啟動，故障就不再存在，那么該器件會自動執行上電序列。

對于任何非關斷條件的故障（例如，因為故障被屏蔽），該位在進入 INITIALIZE 狀態時被清除。

熱警告和熱關斷

有兩個熱閾值：熱警告 (WARM) 和熱關斷 (TSD / HOT)。

• 熱警告，WARM 閾值：
• 如果溫度超過 T_{WARM_Rising} 閾值，則會設置 SENSOR_x_WARM 位并且 PMIC 會定序關閉（除非被屏蔽）。
• 如果溫度降至 T_{WARM_Falling} 閾值以下，器件將再次上電，并且沒有新的 Push-button-ON_Request。在 EN 或 VSENSE 配置中，ON 請求仍必須有效才能轉換為 ACTIVE 狀態。
• 如果溫度超過 T_{WARM_Rising} 閾值，但設置了 SENSOR_x_WARM_MASK 位，PMIC 仍處于 ACTIVE 狀態。故障報告由 MASK_EFFECT 位配置。處理器決定是定序關斷還是控制正在運行的應用程序，從而降低功耗并有望避免熱關斷情況。
• 熱關斷，HOT 閾值，在 WARM 閾值被屏蔽時適用：
• 如果溫度超過 T_{HOT_Rising} 閾值，則會設置 SENSOR_x_HOT 位，并且 PMIC 會立即關斷所有電源軌。這種關斷是同時進行，而不是按時序進行。
• 如果所有傳感器都屏蔽了 WARM 檢測（設置了所有 SENSOR_x_WARM_MASK 位），那么一旦溫度降至 T_{HOT_Falling} 閾值以下，PMIC 即會重新上電，前提是存在有效的 ON 請求。
• 如果其中任一傳感器未屏蔽 WARM 檢測，那么一旦溫度降至 T_{WARM_Falling} 閾值以下，PMIC 即會重新上電，并且沒有新的 Push-button-ON_Request。在 EN 或 VSENSE 配置中，ON 請求仍必須有效才能轉換為 ACTIVE 狀態。

殘余電壓

系統會在各種情況下執行殘余電壓檢查：在啟動 INITIALIZE 到 ACTIVE 轉換之前以及電源軌啟用前的任何時間，無論在序列期間、通過 I2C 命令還是在 STBY 到 ACTIVE 轉換期間。序列期間還會執行 RV 檢查，以檢測應被禁用的電源軌是否被另一電源軌上拉。RV 故障的處理取決于故障發生時的情況：

• INITIALIZE 轉換到 ACTIVE：
  • 如果在執行序列之前檢測到殘余電壓超過 4ms 至 5ms，則會在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_RV_IS_SET 位，以及在 INT_RV 寄存器中設置 LDOx_RV 或 BUCKx_RV 位，即使稍后放電成功并執行 ON 請求，也保持置位狀態。
  • 如果在序列期間檢測到殘余電壓，則會構成關斷故障：器件在時隙持續時間結束時啟動斷電序列。該器件會在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET 位，并在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設置 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位以及 TIMEOUT 位。
• ACTIVE 轉換到 STBY：
  • 如果啟用了有源放電并且在斷電時隙持續時間的八倍后檢測到殘余電壓，則會構成關斷故障：器件會在時隙結束時定序關斷。該器件會在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET 位，并在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設置 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位以及 TIMEOUT 位。
  • 如果在序列期間檢測到殘余電壓，則會構成關斷故障：器件會在時隙持續時間結束時定序關斷，并在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET 位，以及在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設置 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位。
• STBY 轉換到 ACTIVE：
  • 如果在執行序列之前檢測到殘余電壓超過 4ms 至 5ms，則器件會在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_RV_IS_SET 位，并在 INT_RV 寄存器中設置 LDOx_RV 或 BUCKx_RV 位。即使在超時到期之前放電成功并且執行 STBY 轉換到 ACTIVE 序列，該位也會保持設置狀態。
  • 如果在執行序列之前檢測到殘余電壓超過 80ms，則會構成關斷故障：器件會定序關斷，并在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET 位，以及在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設置 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位。此外，器件還會在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設置 TIMEOUT 位。
  • 如果在序列期間檢測到殘余電壓，則會構成關斷故障：器件會在時隙持續時間結束時定序關斷，并在 INT_SOURCE 寄存器中設置 INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET 位，以及在 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中設置 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位。在這種情況下，不設置 TIMEOUT 位。
• ACTIVE 轉換到 INITIALIZE 或 STBY 轉換到 INITIALIZE
  • 如果在相應電源軌的斷電時隙持續時間結束時檢測到殘余電壓，則會在長達八個時隙持續時間內限制后續電源軌的禁用，但無論殘余電壓如何，電源序列都會繼續。在這種情況下，不會設置任何位。
• RV 位的屏蔽
  • 在殘余電壓檢測情形中，nINT 引腳反應可以通過 MASK_CONFIG 寄存器中的 BUCKx_RV 位或 MASK_INT_FOR_RV 位進行屏蔽。
  • 在殘余電壓檢測情形中，位和關斷故障反應都不可通過 LDOx_RV_SD 或 BUCKx_RV_SD 位進行屏蔽。
• Timeout
  • 如果殘余電壓不能及時放電，則會發生超時。設置 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器中的 TIMEOUT 位。詳情請參見上文。

*) RV_SD 和 TIMEOUT 故障只能在序列期間發生