ZHCSQQ2 December 2024 TPS4813-Q1
PRODUCTION DATA
當 EN/UVLO 被驅動為高電平 (> V(ENR)) 并且同時 LPM 被驅動為低電平的時間超過 500μs 時,器件將從關斷模式轉換為低功耗模式。
當 LPM 被拉至低電平時,器件也可以從工作模式轉換為低功耗模式。從工作模式進入低功耗模式時,可以按照圖 7-15 所述遵循 LPM 和 INP 信號時序控制注意事項。在 LPM 之前將 INP 拉至低電平會導致主 FET(G1 柵極驅動器)關斷,進而會導致在旁路 FET(G2 柵極驅動器)開通之前輸出電壓暫時下降。在 LPM 被拉至低電平至少 10μs 后將 INP 拉至低電平,可實現從工作模式到低功耗模式的無縫轉換,而不會出現任何輸出電壓驟降。
在此模式下會啟用電荷泵和柵極驅動器。在此狀態下,主 FET(G1 柵極驅動器)關斷,旁路 FET(G2 柵極驅動器)開通,WAKE 引腳置為高電平有效。低功耗模式下,TPS48130-Q1 具有低的 IQ 消耗,為 35μA(典型值)。
在以下情況下,器件會從低功耗模式轉換為工作模式:
當負載電流超過負載喚醒閾值 (ILWU) 后,器件會自動關斷旁路 FET(G2 柵極驅動器)并開通主 FET(G1 柵極驅動器),并且 WAKE 會置為低電平有效以指示從低功耗模式退出。
器件等待外部 LPM 信號變為高電平以轉換到工作模式。
低功耗模式下的可用保護功能包括: