在有多個 FET（Q1、Q2）并聯(lián)的大電流應用中，可使用旁路 FET (Q3) 的柵極壓擺率控制來對容性負載進行預充電，并限制浪涌電流。

TPS48130-Q1 將柵極驅(qū)動器 (G2) 與專用的控制輸入 (LPM) 集成。此特性可用于驅(qū)動獨立的低功耗旁路 FET (Q3)，并對容性負載進行預充電，同時限制浪涌電流。圖 7-3 顯示了采用 TPS48130-Q1 的低功耗旁路 FET 實施方案，用于為容性負載充電。外部電容器 C_g 可降低柵極開通壓擺率并控制浪涌電流。

圖 7-3 使用低功耗旁路 FET 的柵極壓擺率控制為電容器充電

在上電過程中，當 EN/UVLO 被拉至高電平且 LPM 被拉至低電平的時間超過 500μs 時，器件會通過 165μA 拉電流將 G2 拉至高電平來導通 Q3，而主 FET（G1 柵極驅(qū)動器）保持關斷狀態(tài)。

使用方程式 22 可計算 I_INRUSH：

其中，

C_LOAD 是負載電容。

VBATT 是輸入電壓，T_charge 是充電時間。

使用方程式 23 可計算所需的 C_g 值。

其中，

I_(G) 為 165μA（典型值）。

串聯(lián)電阻 R_g 必須與 C_g 一起用于限制關斷期間來自 C_g 的放電電流。Rg 的建議值介于 220Ω 和 470Ω 之間。

對輸出電容器充電后，可以通過從外部將 LPM 驅(qū)動為高電平來控制主 FET（G1 柵極驅(qū)動器）并關斷旁路 FET（G2 柵極驅(qū)動器）。現(xiàn)在可以通過將 INP 驅(qū)動為高電平來開通主 FET（G1 柵極驅(qū)動器）。

圖 7-4 顯示了在大電流應用中使用低功耗旁路路徑為大型輸出電容器充電的應用電路。此設計涉及一個與旁路 FET 串聯(lián)的功率電阻器 (R_BYPASS)，如圖 7-4 所示。

圖 7-4 使用低功耗旁路 FET 和串聯(lián)功率電阻器 (RBYPASS) 驅(qū)動容性負載的 TPS48130-Q1 應用電路

使用旁路路徑進行負載電容器充電和自動負載喚醒

TPS48130-Q1 支持使用公共旁路路徑的負載電容器充電和自動負載喚醒功能。使用電阻器 R_BYPASS 和 FET Q3，如圖 7-4 所示。

在負載電容器充電期間，器件通過監(jiān)測 G2 和 SRC 上的電壓來檢測旁路 FET Q3 的 VGS。一旦檢測到的閾值達到 V_{G2_GOOD} 閾值（典型值為 7V），表明 Q3 柵極得到增強（負載電容器已充電），因此會監(jiān)測 CS+ 和 CS– 引腳上的電壓。

使用此方案，電容器充電電流 (I_INRUSH) 也可以設置為高于負載喚醒閾值 (I_LWU)，如圖 7-5 所示。

圖 7-5 使用旁路路徑為輸出大容量電容器充電的時序圖

設置負載喚醒觸發(fā)器閾值：在正常運行期間，串聯(lián)功率電阻器 R_BYPASS 與旁路 FET R_DSON 一起用于設置負載喚醒電流閾值。可使用以下公式選擇 R_BYPASS：

其中，

R_ISCP 是根據(jù)短路閾值（使用方程式 8 進行設置）選擇的電阻器。

I_LWU 是所需的負載電流喚醒閾值。

R_{DSON_BYPASS} 是旁路 FET 的 R_DSON。

R_BYPASS 還有助于在上電進入短路期間限制電流以及 Q3 上的應力。