ZHCSQQ2 December 2024 TPS4813-Q1
PRODUCTION DATA
當(dāng)外部 MOSFET 在 INP 控制、過流保護等條件下關(guān)斷時,輸入寄生線路電感會在輸入端產(chǎn)生正電壓尖峰,而輸出寄生電感會在輸出端產(chǎn)生負電壓尖峰。電壓尖峰(瞬變)的峰值振幅取決于與器件輸入或輸出串聯(lián)的電感值。如果未采取措施解決此問題,這些瞬變可能會超過器件的絕對最大額定值。解決瞬變的典型方法包括:
TPS48130-Q1 由 VS 引腳供電。為了確保正常運行,此引腳上的電壓必須保持在 V(VS_PORR) 電平以上。如果輸入電源有瞬態(tài)噪聲,TI 建議在輸入電源線路和 VS 引腳之間放置一個 RVS – CVS 濾波器以濾除電源噪聲。TI 建議采用大約 100Ω 的 RVS 值。
在涉及較大 di/dt 的情況下,系統(tǒng)和布局寄生電感可能會在 CS+ 和 CS– 引腳之間產(chǎn)生較大的差分信號電壓。此操作可能會在系統(tǒng)中觸發(fā)錯誤的短路保護并干擾跳閘。為了解決這種問題,TI 建議在檢測電阻 (RSNS) 上添加用于表示 RC 濾波器元件的占位元件,并在實際系統(tǒng)的測試期間調(diào)整相應(yīng)的值。在通過 MOSFET VDS 檢測實現(xiàn)的電流檢測設(shè)計中,不得使用 RC 濾波器元件,以免影響短路保護響應(yīng)。
圖 8-14 展示了具有可選保護元件的電路實施方案。