在有多個 FET 并聯的大電流應用中，不建議對主 FET 進行柵極壓擺率控制，因為 FET 之間的浪涌電流分布不均會導致 FET 尺寸必須設計得更大。

TPS1212-Q1 集成了具有專用控制輸入 (LPM) 的柵極驅動器 (G)，以及位于 DRN 和 CS2– 引腳之間的旁路比較器。此特性可用于驅動獨立的低功耗旁路 FET，并對容性負載進行預充電，同時限制浪涌電流。圖片顯示了采用 TPS1212-Q1 的低功耗旁路 FET 實施方案，用于為容性負載充電。外部電容器 C_g 可降低柵極導通壓擺率并控制浪涌電流。

圖 8-4 使用低功耗旁路 FET 柵極 (G) 壓擺率控制的電容器充電

在上電過程中，當 EN/UVLO 拉至高電平且 LPM 拉至低電平時，器件會使用 100μA 拉電流將 G 拉至高電平以導通旁路 FET (G)，而主 FET (GATE) 則保持關斷狀態。在該低功耗模式 (LPM) 下，TPS1212-Q1 會檢測 DRN 和 CS2– 引腳之間的電壓，以及旁路 FET 的 VGS（G 至 SRC）。最初會將 DRN 和 CS2– 之間的電壓與 V_{(LPM_SCP)} 閾值（典型值 2V）進行比較，以檢測上電進入短路故障事件，直到達到 V_{(G_GOOD)} 閾值為止。

在達到 V_{(G_GOOD)} 閾值后，比較 DRN 和 CS2– 之間的電壓與負載喚醒事件的 V_(LWU) 閾值（典型值 200mV）。使用該方案時，電容器充電電流 (I_INRUSH) 可以設置為高于負載喚醒閾值 (I_LWU)，還可以可靠地檢測上電進入短路事件，如下面的時序圖所示：

圖 8-5 使用旁路路徑的大容量電容器充電的時序圖

設置負載喚醒觸發器閾值：

在正常運行期間，串聯電阻 R_BYPASS 用于設置負載喚醒電流閾值。在達到 V_{(G_GOOD)} 閾值后，比較 DRN 和 CS2– 之間的電壓與負載喚醒事件的 V_(LWU) 閾值（典型值 200mV）。

可使用方程式 2 選擇 RBYPASS：

設置 INRUSH 電流：

使用方程式 6 可計算 I_INRUSH：

其中，

C_LOAD 是負載電容。

V_BATT 是輸入電壓，T_charge 是充電時間。

I_INRUSH 應始終小于低功耗模式下的短路喚醒電流 (I_{LPM_SC})，后者可使用方程式 4 計算：

使用方程式 5 可計算所需的 C_g 值。

其中，

I_(G) 為 100μA（典型值）。

串聯電阻 R_g 必須與 C_g 一起用于限制關斷期間來自 C_g 的放電電流。Rg 的建議值介于 220Ω 和 470Ω 之間。

對輸出電容器充電后，可以控制主 FET（GATE 驅動），還可以從外部將 LPM 驅動為高電平以關斷旁路 FET（G 驅動）。此時，可以將 INP 驅動為高電平來導通主 FET（G 驅動）。

圖 8-6 顯示了在大電流應用中使用低功耗旁路路徑為大型輸出電容器充電的應用電路。

圖 8-6 使用低功耗旁路 FET (Q3) 和串聯電阻器 (R_BYPASS) 的容性負載驅動 TPS1212-Q1 應用電路