當(dāng) EN/UVLO 被驅(qū)動為高電平 (> V_(ENR)) 并且同時 LPM 被驅(qū)動為低電平的時間超過 500μs 時，器件將從關(guān)斷模式轉(zhuǎn)換為低功耗模式。

當(dāng) LPM 被拉至低電平時，器件也可以從工作模式轉(zhuǎn)換為低功耗模式。從工作模式進(jìn)入低功耗模式時，可以按照圖 8-17所述遵循 LPM 和 INP 信號時序控制注意事項(xiàng)。在 LPM 之前將 INP 拉至低電平會導(dǎo)致主 FET（GATE 驅(qū)動）關(guān)斷，進(jìn)而會導(dǎo)致在旁路 FET（G 驅(qū)動）導(dǎo)通之前輸出電壓暫時下降。在 LPM 被拉至低電平至少 10μs 后將 INP 拉至低電平，可從運(yùn)行模式無縫轉(zhuǎn)換到低功耗模式，而不會出現(xiàn)任何輸出電壓驟降。

在此模式下，會啟用電荷泵和 G 柵極驅(qū)動器。在此狀態(tài)下，主 FET（GATE 驅(qū)動）關(guān)斷，旁路 FET（G 驅(qū)動）導(dǎo)通，且 WAKE 引腳置為高電平有效。低功耗模式下，TPS1212-Q1 具有低的 I_Q 消耗，為 20μA（典型值）。

在以下情況下，器件會從低功耗模式轉(zhuǎn)換為工作模式：

• 外部觸發(fā)器：LPM 從外部被拉至高電平
• 內(nèi)部觸發(fā)器：負(fù)載電流超過負(fù)載喚醒觸發(fā)閾值 (I_LWU)

在負(fù)載電流超過負(fù)載喚醒閾值 (I_LWU) 后，器件首先會自動導(dǎo)通主 FET（GATE 驅(qū)動器），旁路 FET（G 驅(qū)動器）會在主 FET（GATE 驅(qū)動器）完全導(dǎo)通后被關(guān)斷，而 WAKE 會置為低電平有效，表示退出低功耗模式。

器件等待外部 LPM 信號變?yōu)楦唠娖揭赞D(zhuǎn)換到工作模式。

低功耗模式下的可用保護(hù)功能包括：

• 輸入 UVLO：當(dāng) EN/UVLO 上的電壓降至低于 V_(UVLOF) 時，旁路 FET（G 驅(qū)動器）會被關(guān)斷。
• 電荷泵 UVLO：當(dāng) BST 和 SRC 之間的電壓降至低于 V_{(BST_UVLOF)} 且 FLT 置為低電平有效時，旁路 FET（G 驅(qū)動器）會被關(guān)斷。

• 旁路 FET 短路保護(hù)（短路喚醒）：該保護(hù)一直持續(xù)到旁路 FET 的 VGS（G 至 SRC）達(dá)到 V_{G_GOOD} 閾值為止。如果 DRN 和 CS2– 之間的電壓超過設(shè)定的短路閾值 V_{(LPM_SCP)}，則器件會在 t_{LPM_SC} 時間內(nèi)導(dǎo)通主 FET（GATE 驅(qū)動），從而轉(zhuǎn)換至負(fù)載喚醒狀態(tài)。

  在負(fù)載喚醒狀態(tài)下，如果負(fù)載電流仍然很高且超過設(shè)定的短路閾值 (V_SCP)，則器件會在 t_SC 時間內(nèi)關(guān)斷主路徑（GATE 驅(qū)動器）和旁路 FET（G 驅(qū)動器）。器件會根據(jù)所選配置進(jìn)入自動重試或閉鎖模式，且 FLT 置為低電平有效。