通過執行節 9.2.2中所述的類似設計過程，外部元件值計算如下：

• R_SNS = 0.5mΩ
• R_SET = 450Ω
• R_IMON = 27.4kΩ
• R_IOC = 51kΩ，用于將 40A 設置為 I²t 保護啟動閾值
• C_I2t = 4.7μF，用于將 3000A²s 設置為 I²t 因數
• C_BST = 150nF
• R_ISCP = 2.55kΩ，用于將 130A 設置為短路保護閾值
• C_TMR = 47nF，用于設置 1000ms 自動重試時間
• 分別選擇 470kΩ 和 107kΩ 作為 R3 和 R4，以便將 VIN 欠壓鎖定閾值設置為 6.5V

負載喚醒閾值編程，R_BYPASS 和 Q₃ 選擇

在正常運行期間，串聯電阻 R_BYPASS 用于設置負載喚醒電流閾值。在達到 V_{G_GOOD} 閾值后，比較 DRN 和 CS2– 之間的電壓與負載喚醒事件的 V_(LWU) 閾值（典型值 200mV）。選擇 MOSFET Q3 時，重要的電氣參數為最大持續漏極電流 I_D、最大漏源電壓 V_DS(MAX)、最大柵源電壓 V_GS(MAX) 以及漏源導通電阻 R_DSON。

根據設計要求，選擇的是 BUK7J1R4-40H，其電壓等級為：

40V V_DS(MAX) 和 ±20V V_GS(MAX)

在 10V VGS 下，R_DS(ON) 的典型值為 1.06mΩ

可以使用以下公式選擇 R_BYPASS 電阻值：

若要設置 200mA 負載喚醒電流，則 R_BYPASS 電阻計算結果為 1Ω。

可通過以下公式計算旁路電阻器的平均額定功率：

R_BYPASS 平均功率耗散計算結果為 0.04W。

以下公式可計算旁路電阻器中的峰值功率耗散：

R_BYPASS 的峰值功率耗散計算結果為約 256W。短路進入 LPM 時上電的峰值功率耗散時間可以通過電氣特性表中的 t_{(LPM_SC)} 參數 (5μs) 推導出來。

根據 P_PEAK 和 t_{(LPM_SC)}，應使用 1Ω、1%、3/4W CRCW12101R00FKEAHP 電阻，以支持大于 t_{(LPM_SC)} 時間的平均功率耗散和峰值功率耗散。TI 建議設計人員與電阻制造商分享旁路電阻器的整個功率耗散曲線并獲取他們的建議。

可根據以下公式計算旁路路徑中的峰值短路電流：

根據方程式 32 中選擇的 R_BYPASS，計算出 I_{PEAK_BYPASS} 為 16A。TI 建議設計人員確保旁路路徑 (Q3) 的工作點（V_{BATT_MAX}、I_{PEAK_BYPASS}）處于 SOA 曲線內的時間大于 t_{(LPM_SC)}。

浪涌電流編程，R_g 和 C_g 選擇

請使用以下公式來計算 I_INRUSH：

在方程式 36 中計算的 I_INRUSH 應該始終小于低功耗模式下的短路喚醒電流 (I_{LPM_SC})，后者可使用以下公式計算：

對于 1Ω R_BYPASS，I_{LPM_SC} 計算結果為 2A，該值小于 I_INRUSH。

使用以下公式，可根據方程式 36 中計算出的 I_INRUSH 計算所需的 C_g。

其中，I_(G) 為 100μA（典型值）

若要將 I_INRUSH 設置為 1.6A，則 C_g 值計算結果為約 50nF。

串聯電阻 R_g 必須與 Cg 一起用于限制關斷期間來自 Cg 的放電電流。

選擇的 R_g 值為 100Ω，C_g 為 68nF。