ZHCSY57 April 2025 TPS1212-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細說明
- 9 應用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
8.3.2.2 使用主 FET（GATE 驅(qū)動）柵極壓擺率控制
在不使用低功耗旁路路徑的應用中，可以使用主 FET GATE 驅(qū)動控制來進行電容充電。
為了在具有容性負載的主 FET 導通期間限制浪涌電流，請使用 R1、R2、C1、D2，如圖 8-7 所示。R1 和 C1 元件會減慢主 FET 柵極的電壓斜坡速率。FET 源極跟隨柵極電壓，從而在輸出電容器上實現(xiàn)受控電壓斜坡。
使用與 C1 串聯(lián)的阻尼電阻 R2（大約 10Ω）。D2 通過繞過 R1 確保快速關斷 GATE 驅(qū)動器。
圖 8-7 主路徑中的浪涌電流限制使用方程式 6 可以計算 FET 導通期間的浪涌電流。
方程式 6.
方程式 7.
其中，
CLOAD 是負載電容。
VBATT 是輸入電壓，Tcharge 是充電時間。
V(BST-SRC) 是電荷泵電壓 (12V)。
使用與 C1 串聯(lián)的阻尼電阻 R2 (~10?)。方程式 8 可用于計算目標浪涌電流所需的 C1 值。R1 的 100k? 電阻可以作為計算的良好起點。
D2 通過繞過 R1 確保快速關斷 GATE 驅(qū)動器。
C1 會在開通期間在 CBST 上產(chǎn)生額外的充電負載。方程式 8 可用于計算所需的 CBST 值：
方程式 8.
其中，
Qg(total) 是 FET 的總柵極電荷。
ΔVBST（典型值為 1V）是 BST 到 SRC 引腳上的紋波電壓。