ZHCSY57 April 2025 TPS1212-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|23
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.3.3.1.1 具有自動(dòng)重試功能的 I2t 過流保護(hù)
CI2t 可對(duì)過流保護(hù)延遲 (tOC_MIN) 進(jìn)行編程，而 CTMR 可對(duì)自動(dòng)重試時(shí)間 (tRETRY) 進(jìn)行編程。一旦 CS1+ 和 CS1– 之間的電壓超過設(shè)定點(diǎn) (V(OCP))，CI2t 電容器即開始充電，充電電流與 ILOAD2 – IOC2 電流成比例。
在 CI2t 充電至 V(I2t_OC) 后，GATE 將拉低至 SRC，同時(shí)關(guān)斷主 FET 且 FLT 置為低電平有效。發(fā)布此事件后，自動(dòng)重試行為將開始。CTMR 開始以 2.5μA 上拉電流充電，直到電壓達(dá)到 V(TMR_HIGH) 電平為止。達(dá)到此電平之后，電容器開始以 2.5μA 下拉電流放電。
電壓達(dá)到 V(TMR_LOW) 電平后，電容器再次以 2.5μA 上拉電流開始充電。經(jīng)過 CTMR 的 32 個(gè)充放電周期后，F(xiàn)ET 重新導(dǎo)通，FLT 在置為無效延遲后置為無效。
圖 8-9 具有自動(dòng)重試功能的 I2t 過流保護(hù)自動(dòng)重試時(shí)間可以根據(jù)方程式 13，通過待連接在 TMR 和 GND 引腳之間的 CTMR 電容器進(jìn)行設(shè)置。
方程式 13.
其中
V(TMR_HIGH) 為 1.2V（典型值），V(TMR_LOW) 為 0.2V（典型值）。
I(TMR_SRC) 是 TMR 引腳上的內(nèi)部拉電流，典型值為 2.5μA。