ZHCSYB3J August 2006 – May 2025 TLE4275-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
| 熱指標 (1) | TLE4275-Q1 | 單位 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KVU (TO-252-5) |
KTT (TO-263-5) |
PWP (HTSSOP-20) |
|||||
| 舊芯片 | 新芯片 | 舊芯片 | 新芯片 | 舊芯片 | |||
| RθJA | 結至環境熱阻 | 40.3 | 28.6 | 32.8 | 22.5 | 39.3 | °C/W |
| RθJC(top) | 結至外殼（頂部）熱阻 | 31.8 | 36.3 | 38.0 | 7.2 | 22.7 | °C/W |
| RθJB | 結至電路板熱阻 | 17.2 | 7.3 | 5.3 | 32.3 | 19.1 | °C/W |
| ψJT | 結至頂部特征參數 | 2.8 | 1.8 | 6.3 | 2.0 | 0.6 | °C/W |
| ψJB | 結至電路板特征參數 | 17.1 | 7.2 | 5.4 | 3.4 | 18.9 | °C/W |
| RθJC(bot) | 結至外殼（底部）熱阻 | 0.7 | 0.7 | 0.8 | 6.8 | 1.5 | °C/W |