ZHCSNL1A December 2024 – March 2025 TAS6754-Q1
PRODUCTION DATA
柵極驅動器接受低壓 PWM 信號并對其進行電平轉換以驅動高電流全橋功率 FET 級。
該器件使用專有技術來優化 EMI 和音頻性能。柵極驅動器電源電壓 GVDD 是內部生成的,必須連接一個去耦電容器。
完整的 H 橋輸出級僅使用 NMOS 晶體管。因此,需要使用自舉電容器來確保 OUT-xP 端的高側 NMOS 晶體管的正常運行。每個輸出端與相應的自舉輸入端之間必須連接一個 1μF 的陶瓷電容器,電容質量需達到 X7R 或更高等級,并且額定電壓必須適應所施加的電壓(包括負載突降電壓)。連接在 BST 引腳和相應輸出端之間的自舉電容器用作高側 N 溝道功率 MOSFET 柵極驅動電路的浮動電源。在每個高側開關周期期間,自舉電容器將柵源電壓保持在高電平,從而保持高側 MOSFET 導通。
OUT_xM 端的高側 FET 柵極驅動器由四個通道共用的電荷泵 (CP) 電源供電。從 CP 引腳到 PVDD 必須連接一個 330nF 的陶瓷電容器,電容質量需達到 X7R 或更高等級,并且額定電壓必須適應所施加的電壓(包括負載突降電壓)。此外,必須從 CPC_TOP 引腳到 CPC_BOT 引腳之間連接一個同樣額定值的 100nF 陶瓷電容器。