ZHCSUG4B January 2024 – September 2025 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
為輸出級 MOSFET 提供可調柵極驅動電流控制,以實現可配置的壓擺率,從而降低 EMI。MOSFET VDS 壓擺率是優化輻射發射、二極管恢復尖峰的總能量和持續時間以及與 PCB 寄生元件相關的開關電壓瞬態的關鍵因素。此壓擺率主要由內部 MOSFET 柵極電流的控制決定,如圖 6-10 所示。
每個半橋的壓擺率可通過 SLEW_RATE 設置進行調節。壓擺率可配置為 125V/μs 或 200V/μs。壓擺率根據 OUTx 引腳電壓的上升時間和下降時間計算得出,如圖 6-11 所示。