ZHCSUG4B January 2024 – September 2025 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
MCF8315C-Q1 包含以三相橋配置連接的集成式 240mΩ/250mΩ(組合式高側和低側 FET 的導通狀態電阻)NMOS FET。電荷泵加倍器可在寬工作電壓范圍內為高側 NMOS FET 提供適合的柵極偏置電壓,此外還提供 100% 占空比支持。內部線性穩壓器為低側 MOSFET 提供柵極偏置電壓。