ZHCSZ98 November 2025 MC121-Q1
ADVANCE INFORMATION
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說(shuō)明
- 7 寄存器映射
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DYM|6
- DEZ|6
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
6.3.2.5 VM 過(guò)壓保護(hù) (OVP)
當(dāng) VM 電壓超過(guò) VOVP 上升閾值時(shí)，所有 FET 均處于 Hi-Z 狀態(tài)，并且 FG/RD 引腳會(huì)根據(jù) 表 6-4 指示鎖定轉(zhuǎn)子故障。當(dāng) VM 電壓降至 VOVP 下降閾值以下時(shí)，器件會(huì)恢復(fù)正常運(yùn)行。OVP 閾值由 OVP_SEL 進(jìn)行設(shè)置，可以通過(guò)將 OVP_EN 設(shè)置為 0x0 加以禁用。過(guò)壓保護(hù)具有固定的 80μs 抗尖峰脈沖時(shí)間，可以消除偽波 OVP 觸發(fā)。為避免由于電機(jī)正常運(yùn)行期間的瞬態(tài) VM 峰值而導(dǎo)致錯(cuò)誤的 OVP 觸發(fā)，在軟換向的上升和下降間隔期間會(huì)禁用過(guò)壓保護(hù)。此外，在消磁間隔期間始終禁用 OVP。此外，在峰值占空比間隔期間提供由 OVP_BLANK_SEL（1ms 或 4ms）設(shè)置的可選（通過(guò)將 OVP_BLANK_EN 設(shè)置為 0x1 來(lái)啟用）消隱時(shí)間，從而提高 OVP 檢測(cè)穩(wěn)健性。圖 6-30 展示了不同軟換向間隔下的 OVP 檢測(cè)操作。在方波換向中，沒(méi)有上升/下降間隔，并且如果啟用了消隱時(shí)間，它將從換向瞬間開(kāi)始應(yīng)用。
圖 6-30 OVP 檢測(cè)