ZHCSLK1D February 2022 – November 2024 LMQ66410-Q1 , LMQ66420-Q1 , LMQ66430-Q1
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓（VIN 引腳） | ||||||
| VINMIN | 啟動(dòng)的輸入電壓上升閾值 | 啟動(dòng)前 | 3.2 | 3.35 | 3.5 | V |
| 輸入電壓下降閾值 | 運(yùn)行后 | 2.45 | 2.7 | 3 | V | |
| ISD(VIN) | VIN 引腳處的關(guān)斷靜態(tài)電流 | EN = 0V | 0.25 | 1 | μA | |
| IBIAS | VOUT/FB 處的非開(kāi)關(guān)輸入電流 | 固定 5.0V Vout，VVOUT/FB = 5.25V | 4.2 | 6.5 | μA | |
| IBIAS | VOUT/FB 處的非開(kāi)關(guān)輸入電流 | 固定 3.3Vout，VVOUT/FB = 3.47V | 4.2 | 6.5 | μA | |
| IQVIN(nonsw) | 非開(kāi)關(guān)輸入電流；在 VIN 引腳處測(cè)得(1) | 固定 5V VOUT，VVOUT/FB = 5.25V | 1.6 | 3 | μA | |
| IQVIN(nonsw) | 非開(kāi)關(guān)輸入電流；在 VIN 引腳處測(cè)得(1) | 固定 3.3V VOUT，VVOUT/FB = 3.47V | 1.2 | 2.2 | μA | |
| 使能（EN 引腳） | ||||||
| VEN-WAKE | EN 喚醒閾值 | 0.5 | 0.7 | 1 | V | |
| VEN-VOUT | VOUT 的精密使能上升閾值 | 1.16 | 1.23 | 1.3 | V | |
| VEN-HYST | 使能遲滯低于 VEN-VOUT | 0.3 | 0.35 | 0.4 | V | |
| ILKG-EN | 使能引腳輸入漏電流 | VEN = VIN = 13.5V | 10 | nA | ||
| 內(nèi)部 LDO（VCC 引腳） | ||||||
| VCC | VCC 引腳輸出電壓 | VFB = 0V，IVCC = 1mA | 3.1 | 3.3 | 3.45 | V |
| 電壓反饋（VOUT/FB 引腳） | ||||||
| VOUT | 固定 VOUT 的輸出電壓精度 | 3.3V VOUT，VIN = 3.6V 至 36V，F(xiàn)PWM 模式 | 3.27 | 3.3 | 3.32 | V |
| 5V VOUT，VIN = 5.5V 至 36V，F(xiàn)PWM 模式 | 4.94 | 5.00 | 5.06 | V | ||
| VFB | 內(nèi)部基準(zhǔn)電壓精度 | VOUT = 1V，VIN = 3.0V 至 36V，F(xiàn)PWM 模式 | 0.99 | 1.00 | 1.01 | V |
| IFB(LKG) | FB 輸入電流 | 可調(diào)配置，F(xiàn)B = 1V | 10 | nA | ||
| 電流限值 | ||||||
| IPEAKMAX | 高側(cè)峰值電流限值 | LMQ66430-Q1 | 3.9 | 4.4 | 5 | A |
| IVALMAX | 低側(cè)谷值電流限值 | LMQ66430-Q1 | 2.9 | 3.5 | 4 | A |
| IPEAKMIN | 最小峰值電流限制 | LMQ66430-Q1，自動(dòng)模式 | 0.55 | 0.69 | 0.86 | A |
| INEGMIN | 低側(cè)谷值電流負(fù)限值 | LMQ66430-Q1，F(xiàn)PWM 模式 | -1.5 | -1.3 | -1 | A |
| IPEAKMAX | 高側(cè)峰值電流限值 | LMQ66420-Q1 | 2.8 | 3.4 | 3.9 | A |
| IVALMAX | 低側(cè)谷值電流限值 | LMQ66420-Q1 | 1.9 | 2.2 | 2.53 | A |
| IPEAKMIN | 最小峰值電流限制 | LMQ66420-Q1，自動(dòng)模式 | 0.37 | 0.5 | 0.65 | A |
| INEGMIN | 負(fù)電流限值 | LMQ66420-Q1，F(xiàn)PWM 模式 | -1 | -0.8 | -0.6 | A |
| IPEAKMAX | 高側(cè)峰值電流限值 | LMQ66410-Q1 | 1.4 | 1.8 | 2.1 | A |
| IVALMAX | 低側(cè)谷值電流限值 | LMQ66410-Q1 | 0.9 | 1.1 | 1.4 | A |
| IPEAKMIN | 最小峰值電流限制 | LMQ66410-Q1，自動(dòng)模式 | 0.17 | 0.27 | 0.35 | A |
| INEGMIN | 低側(cè)谷值電流負(fù)限值 | LMQ66410-Q1，F(xiàn)PWM 模式 | -1 | -0.8 | -0.6 | A |
| IZC | 過(guò)零電流限值 | 自動(dòng)模式 | 30 | 80 | 135 | mA |
| 電源正常（PG 引腳） | ||||||
| PGOV | PG 上限閾值 - 上升 | VOUT/FB %（固定或可調(diào)輸出） | 104 | 108 | 111 | % |
| PGUV | PG 上限閾值 - 下降 | VOUT/FB %（固定或可調(diào)輸出） | 89 | 91 | 94.2 | % |
| PGHYST | OV 的 PG 恢復(fù)遲滯 | VOUT/FB 目標(biāo)調(diào)節(jié)電壓 % | 2 | 2.4 | 2.8 | % |
| UV 的 PG 恢復(fù)遲滯 | VOUT/FB 目標(biāo)調(diào)節(jié)電壓 % | 2 | 3.3 | 4.6 | % | |
| VPG-VAL | PG 功能的最小 VIN | VEN = 0V，RPG_PU = 10kΩ | 1.5 | V | ||
| RPG | PG 導(dǎo)通電阻 | VEN = 3.3V，200μA 上拉電流 | 100 | Ω | ||
| RPG | PG 導(dǎo)通電阻 | VEN = 0V，200μA 上拉電流 | 100 | Ω | ||
| tRESET_FILTER | PG 下降沿抗尖峰脈沖延遲 | 25 | 40 | 75 | μs | |
| tPG_ACT | PG 高電平信號(hào)的延遲時(shí)間 | 1.35 | 2.5 | 4 | ms | |
| 軟啟動(dòng) | ||||||
| tSS | 從設(shè)定點(diǎn)的第一個(gè) SW 脈沖到 90% VOUT/FB 的時(shí)間 | 2 | 3.5 | 4.6 | ms | |
| tHICCUP | 重試軟啟動(dòng)之前處于斷續(xù)模式的時(shí)間 | 30 | 50 | 75 | ms | |
| 振蕩器（SYNC/MODE 引腳） | ||||||
| tPULSE_H | 需要識(shí)別為脈沖的高電平持續(xù)時(shí)間 | 100 | ns | |||
| tPULSE_L??? | 需要識(shí)別為脈沖的低電平持續(xù)時(shí)間 | 100 | ns | |||
| tSYNC | 要識(shí)別為有效時(shí)鐘信號(hào)的高/低電平脈沖最大持續(xù)時(shí)間 | 6 | μs | |||
| tMODE | 在一個(gè)電平上指示 FPWM 或自動(dòng)模式所需的時(shí)間 | 12.5 | μs | |||
| FSW(400kHz) | 400kHz 固定開(kāi)關(guān)頻率 | 340 | 400 | 460 | kHz | |
| FSW(2.2MHz) | 2.2MHz 固定開(kāi)關(guān)頻率 | 2100 | 2200 | 2300 | kHz | |
| fSYNC | 頻率 SYNC 范圍 | 0.2 | 2.5 | MHz | ||
| VMODE_L | SYNC/MODE 輸入電壓低電平閾值 | 1 | V | |||
| VMODE_H | SYNC/MODE 輸入電壓高電平閾值 | 1.6 | V | |||
| 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) | ||||||
| tON-MIN | 最短高側(cè)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間 | FPWM 模式 IOUT = 1A，2.2MHz 固定 | 65 | 75 | ns | |
| tOFF-MIN | 最短高側(cè)開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)間 | 60 | 85 | ns | ||
| tON-MAX | 最大高側(cè)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間 | 壓降中的 HS 超時(shí) | 6 | 9 | 13 | μs |
| 功率級(jí) | ||||||
| VBOOT_UVLO | 與 SW 相比 BOOT 引腳上的電壓，將關(guān)閉高側(cè)開(kāi)關(guān) | 2.1 | V | |||
| RDSON-HS | 高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻 | 負(fù)載 = 1A | 132 | 260 | mΩ | |
| RDSON-LS | 低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻 | 負(fù)載 = 1A | 75 | 140 | mΩ | |