ZHCSLK1D February 2022 – November 2024 LMQ66410-Q1 , LMQ66420-Q1 , LMQ66430-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細說明
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RXB|14
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.9 電流限值和短路
該器件通過針對高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的逐周期電流限制在過流情況下得到保護。高側(cè) (HS) MOSFET 過流保護是通過典型峰值電流模式控制方案來實現(xiàn)的。當(dāng)高側(cè)開關(guān)在較短的消隱時間后導(dǎo)通時，將檢測到高側(cè)開關(guān)電流。在每個開關(guān)周期，將高側(cè)開關(guān)電流與固定電流設(shè)定點的最小值，或與內(nèi)部誤差放大器環(huán)路的輸出減去斜率補償之后的值進行比較。當(dāng) HS 開關(guān)電流達到限流閾值時，HS 開關(guān)關(guān)閉。由于內(nèi)部誤差放大器環(huán)路的輸出具有最大值，并且斜率補償隨著占空比的增大而增加，因此如果占空比通常高于 35%，高側(cè)電流限值會隨著占空比的增加而降低。
當(dāng)?shù)蛡?cè) (LS) 開關(guān)接通時，也會檢測和監(jiān)控流經(jīng)該開關(guān)的電流。與高側(cè)器件一樣，低側(cè)器件具有由內(nèi)部誤差放大器環(huán)路命令的關(guān)斷功能。對于低側(cè)器件，即使振蕩器正常啟動一個新的開關(guān)周期，也會在電流超過此值時阻止關(guān)斷。與高側(cè)器件一樣，關(guān)斷電流的高低也受到限制。該限值在圖 7-12 中稱為低側(cè)電流限值 IVALMAX。如果超出低側(cè)電流限值，低側(cè) MOSFET 將保持導(dǎo)通狀態(tài)，高側(cè)開關(guān)不會導(dǎo)通。一旦低側(cè)電流降至此限值以下，低側(cè)開關(guān)就會關(guān)斷，并且只要自高側(cè)器件上次導(dǎo)通后至少經(jīng)過一個時鐘周期，高側(cè)開關(guān)就會再次導(dǎo)通。
圖 7-12 電流限值波形由于電流波形假定值介于 IPEAKMAX 和 IVALMAX 之間，因此最大輸出電流非常接近這兩個值的平均值，除非占空比非常高。在電流限制下運行之后將使用遲滯控制，并且電流不會隨著輸出電壓接近零而增加。
如果發(fā)生極端過載并滿足以下條件，LMQ664x0-Q1 會采用斷續(xù)過流保護：
- 輸出電壓低于輸出電壓設(shè)定點的約 0.4 倍。
- 自軟啟動開始以來，經(jīng)過了大于 tSS 的時間。
- 該器件不處于壓降運行狀態(tài)，表明具有最短關(guān)斷時間受控占空比。
在斷續(xù)模式下，器件會關(guān)斷，并在 tHICCUP 后嘗試軟啟動。斷續(xù)模式有助于在嚴重過流和短路情況下降低器件功耗。請參閱圖 7-13。
一旦消除過載，器件就會像在軟啟動中一樣恢復(fù)；請參閱圖 7-14。
圖 7-13 進入斷續(xù)
圖 7-14 退出斷續(xù)