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ZHCSLM7D March 2020 – June 2022 LMQ61460

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RJR|14
- MPQF507F

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

7.5 電氣特性

限制值適用于推薦的 -40°C 至 +150°C 工作結(jié)溫范圍，除非另有說明。最小值和最大值限值是經(jīng)過測試、設計或統(tǒng)計相關性分析而確定的。典型值表示 T_J = 25°C 條件下最有可能達到的參數(shù)標準，僅供參考。除非另有說明，以下條件適用：V_IN = 13.5V。VIN1 短接至 VIN2 = V_IN。V_OUT 是轉(zhuǎn)換器輸出電壓。

參數(shù)		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源電壓和電流
V_{IN_OPERATE}	工作輸入電壓⁽³⁾	啟動需要	3.95			V
V_{IN_OPERATE}	工作輸入電壓⁽³⁾	運行后	3.0			V
V_{IN_OPERATE_H}	遲滯⁽³⁾			1		V
I_Q	工作靜態(tài)電流（非開關）；在 VIN 引腳上測量⁽¹⁾	V_FB = +5%，V_BIAS = 5V		0.6	6	μA
I_BIAS	流入 BIAS 引腳的電流（非開關、T_J = 125°C 時的最大值）⁽¹⁾	V_FB = +5%，V_BIAS = 5V，自動模式		24	31.2	μA
I_SD	關斷靜態(tài)電流；在 VIN 引腳處測得	EN = 0V，T_J= 25℃		0.6	6	μA
使能
V_EN	使能輸入閾值電壓 - 上升			1.263		V
V_EN-ACC	使能輸入閾值電壓 - 與典型值的上升偏差		–8.1%		8.1%
V_EN-HYST	使能閾值遲滯占 V_EN 的百分比（典型值）		24%	28%	32%
V_EN-WAKE	使能喚醒閾值		0.4			V
I_EN	使能引腳輸入電流	V_IN = EN = 13.5V		2.3		μA
V_{EN_SYNC}	使用 EN/SYNC 引腳進行同步所需的邊沿高度	上升和下降時間 < 30ns			2.4	V
LDO - VCC
V_CC	內(nèi)部 V_CC 電壓	V_BIAS > 3.4V，CCM 運行⁽³⁾		3.3		V
V_CC	內(nèi)部 V_CC 電壓	V_BIAS = 3.1V，非開關		3.1		V
V_{CC_UVLO}	內(nèi)部 V_CC 輸入欠壓鎖定	V_CC 上升欠壓閾值		3.6		V
V_{CC_UVLO_HYST}	內(nèi)部 V_CC 輸入欠壓鎖定	遲滯低于 V_{CC_UVLO}		1.1		V
反饋
V_{FB_acc}	5V、3.3V 和可調(diào)節(jié) (1V FB) 版本的初始基準電壓精度	V_IN = 3.3V 至 36V，T_J = 25℃，F(xiàn)PWM 模式	-1%		1%
I_FB	從 FB 到 AGND 的輸入電流	僅限可調(diào)節(jié)版本，F(xiàn)B = 1V		10		nA
振蕩器
f_ADJ	通過 R_T 或 SYNC 實現(xiàn)的最小可調(diào)頻率	RT = 66.5k?	0.18	0.2	0.22	MHz
	采用 400kHz 時可通過 R_T 或 SYNC 調(diào)整頻率	RT = 33.2k?	0.36	0.4	0.44	MHz
	通過 R_T 或 SYNC 實現(xiàn)的最大可調(diào)頻率	RT = 5.76k?	1.98	2.2	2.42	MHz
MOSFET
R_{DS(ON)_HS}	電源開關導通電阻	高側(cè) MOSFET R_DS(ON)		41	82	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	電源開關導通電阻	低側(cè) MOSFET R_DS(ON)		21	45	mΩ
V_{BOOT_UVLO}	與 SW 相比 CBOOT 引腳上的電壓，將關閉高側(cè)開關			2.1		V
電流限值
I_L-HS	高側(cè)開關電流限值⁽²⁾	占空比接近 0%	8.9	10.3	11.5	A
I_L-LS	低側(cè)開關電流限值		6.1	7.1	8.1	A)
I_L-ZC	過零電流限值。流出 SW 引腳的電流方向為正	自動模式，靜態(tài)測量		0.25		A
I_L-NEG	負電流限值 FPWM 和 SYNC 模式。流出 SW 引腳的電流方向為正。	FPWM 運行		–3		A)
I_{PK_MIN_0}	自動模式下的最小峰值命令和器件電流額定值	脈沖持續(xù)時間 < 100ns		25%
I_{PK_MIN_100}	自動模式下的最小峰值命令和器件電流額定值	脈沖持續(xù)時間 > 1μs		12.5%
V_HICCUP	FB 電壓與待調(diào)節(jié) FB 電壓之比	不是在軟啟動期間		40%
電源正常
PGD_OV	PGOOD 閾值上限 - 上升	V_OUT 百分比設置	105%	107%	110%
PGD_U_V	PGOOD 閾值下限 - 下降	V_OUT 百分比設置	92%	94%	96.5%
PGD_HYST	PGOOD 閾值上限（上升和下降）	V_OUT 百分比設置		1.3%
V_{IN(PGD_VALID)}	正常 PGOOD 功能的輸入電壓		1.0			V
V_PGD(LOW)	低電平 PGOOD 功能輸出電壓	46μA 上拉至 PGOOD 引腳，V_IN = 1.0V，EN = 0V			0.4	V
		1mA 上拉至 PGOOD 引腳，V_IN = 13.5V，EN = 0V			0.4
		2mA 上拉至 PGOOD 引腳，V_IN = 13.5V，EN = 3.3V			0.4
R_PGD	PGOOD 輸出的 R_DS(ON)	1mA 上拉至 PGOOD 引腳，EN = 0V		17	40	?
R_PGD	PGOOD 輸出的 R_DS(ON)	1mA 上拉至 PGOOD 引腳，EN = 3.3V		40	90	?
I_OV	過壓條件下 SW 節(jié)點上的下拉電流			0.5		mA
熱關斷
T_{SD_R}	熱關斷上升閾值⁽³⁾		158	168	180	℃
T_{SD_HYST}	熱關斷遲滯⁽³⁾			10		℃

(1) 這是器件在開環(huán)條件下不發(fā)生切換時使用的電流，F(xiàn)B 拉至標稱值的 +5%。并不代表系統(tǒng)在調(diào)節(jié)時的總輸入電流。有關更多信息，請參閱系統(tǒng)特性 和Topic Link Label8.3.14。

(2) 高側(cè)電流限制是占空比的函數(shù)。高側(cè)電流限制值在小占空比條件下最高，在高占空比條件下更低。

(3) 參數(shù)由相關參數(shù)的設計、統(tǒng)計分析和生產(chǎn)測試指定。