ZHCSTP6 May 2024 LMG2650
ADVANCE INFORMATION
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 低側 GaN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain)(ls) | 漏極電流導通延遲時間 | 從 VINL > VINL,IT+ 到 ID(ls) > 50mA，VBUS = 400V，ISW = 2.65A，采用以下低側壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 待定 | ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 待定 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 待定 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 待定 | |||||
| td(on)(ls) | 導通延遲時間 | 從 VINL > VINL,IT+ 到 VDS(ls) < 390V，VBUS = 400V，ISW = 2.65A，采用以下低側壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 待定 | ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 待定 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 待定 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 待定 | |||||
| tr(on)(ls) | 導通上升時間 | 從 VDS(ls) < 320V 到 VDS(ls) < 80V，VBUS = 400V，ISW = 2.65A，采用以下低側壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 96 | ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 26.7 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 4.8 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 3 | |||||
| td(off)(ls) | 關斷延遲時間 | 從 VINL < VINL,IT– 到 VDS(ls) > 80V，VBUS = 400V，ISW = 2.65A（與壓擺率設置無關），請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | 40 | ns | ||
| tf(off)(ls) | 關斷下降時間 | 從 VDS(ls) > 80V 到 VDS(ls) > 320V，VBUS = 400V，ISW = 2.65A（與壓擺率設置無關），請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | 10 | ns | ||
| 導通壓擺率 | 從 VDS(ls) < 320V 到 VDS(ls) < 80V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，ISW = 2.65A，采用以下低側壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | V/ns | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 2.5 | V/ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 9 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 50 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 80 | |||||
| 高側 GaN 功率 FET | ||||||
| td(on)(Idrain)(hs,INH) | 漏極電流導通延遲時間 | 從 VINH > VINH,IT+ 到 ID(hs) > 50mA，VBUS = 400V，ISW = -2.65A，采用以下高側壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 待定 | ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 待定 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 待定 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 待定 | |||||
| td(on)(Idrain)(hs,GDH) | 漏極電流導通延遲時間 | 從 VGDH > VGDH,IT+ 到 ID(hs) > 50mA，VBUS = 400V，ISW = -2.65A，采用以下高側壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 待定 | ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 待定 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 待定 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 待定 | |||||
| td(on)(hs,INH) | 導通延遲時間 | 從 VINH > VINH,IT+ 到 VDS(hs) < 390V，VBUS = 400V，ISW = -2.65A，采用以下高側壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 待定 | ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 待定 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 待定 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 待定 | |||||
| td(on)(hs,GDH) | 導通延遲時間 | 從 VGDH > VGDH,IT+ 到 VDS(hs) < 390V，VBUS = 400V，ISW = -2.65A，采用以下高側壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 待定 | ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 待定 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 待定 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 待定 | |||||
| tr(on)(hs) | 導通上升時間 | 從 VDS(hs) < 320V 到 VDS(hs) < 80V，VBUS = 400V，ISW = -2.65A，采用以下高側壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | ||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 96 | ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 26.7 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 4.8 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 3 | |||||
| td(off)(hs,INH) | 關斷延遲時間 | 從 VINH < VINH,IT– 到 VDS(hs) > 80V，VBUS = 400V，ISW = -2.65A（與壓擺率設置無關），請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | 60 | ns | ||
| td(off)(hs,GDH) | 關斷延遲時間 | 從 VGDH < VGDH,IT– 到 VDS(hs) > 80V，VBUS = 400V，ISW = -2.65A（與壓擺率設置無關），請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | 50 | ns | ||
| tf(off)(hs) | 關斷下降時間 | 從 VDS(hs) > 80V 到 VDS(hs) > 320V，VBUS = 400V，ISW = -2.65A（與壓擺率設置無關），請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | 10 | ns | ||
| 導通壓擺率 | 從 VDS(hs) < 320V 到 VDS(hs) < 80V，TJ = 25℃，VBUS = 400V，ISW = -2.65A，采用以下高側壓擺率設置，請參閱 GaN 功率 FET 開關參數 | |||||
| 壓擺率設置 0（最慢） | 2.5 | V/ns | ||||
| 壓擺率設置 1 | 9 | |||||
| 壓擺率設置 2 | 50 | |||||
| 壓擺率設置 3（最快） | 80 | |||||
| CS | ||||||
| tr | 上升時間 | 從 ICS(src) > 0.2 × ICS(src)(final) 到 ICS(src) > 0.9 × ICS(src)(final)，0V ≤ VCS ≤ 2V，低側啟用為 2.65A 負載 | 30 | ns | ||
| EN | ||||||
| EN 喚醒時間 | 從 VEN > VIT+ 到 ID(ls) > 10mA，VINL = 5V | 1.5 | μs | |||
| BST | ||||||
| 從深度 BST 到 SW 放電的啟動時間 | 從 VBST_SW > VBST_SW,T+(UVLO) 到高側對 INH 或 GDH 高電平做出反應，VBST_SW 在 1μs 內從 0V 上升到 10V | 5 | μs | |||
| 從淺 BST 到 SW 放電的啟動時間 | 從 VBST_SW > VBST_SW,T+(UVLO) 到高側對 INH 或 GDH 高電平做出反應，VBST_SW 在 0.5μs 內從 5V 上升到 10V | 2.6 | μs | |||