EN 引腳以 AGND 為基準并用于在工作模式和待機模式之間切換器件，如器件功能模式 部分所述。

INL 引腳以 AGND 為基準并用于導通和關斷低側(cè) GaN 功率 FET。

INH 引腳以 AGND 為基準并用于導通和關斷高側(cè) GaN 功率 FET。INH 引腳與使用低側(cè)參考柵極驅(qū)動信號來控制高側(cè) GaN 功率 FET 的控制器兼容。

GDH 引腳以 SW 為基準并用于導通和關斷高側(cè) GaN 功率 FET。GDH 引腳與使用高側(cè)參考信號來控制高側(cè) GaN 功率 FET 的控制器兼容。

LMG2650 旨在與 INH 引腳或控制高側(cè) GaN 功率 FET 的 GDH 引腳配合使用。將未使用的引腳短接至其基準（INH 至 AGND 或 GDH 至 SW）。

輸入控制引腳具有用于實現(xiàn)抗噪性能的典型 1V 輸入電壓閾值遲滯。這些引腳還具有典型的 400kΩ 下拉電阻，可防止輸入懸空。400kΩ 在高于 4V 的典型輸入電壓下達到飽和，以將最大輸入下拉電流限制為 10μA 典型值。從 EN、INL 和 INH 引腳到 AUX 引腳之間存在單獨的正向 ESD 二極管。請避免將 EN、INL 和 INH 電壓驅(qū)動至高于 AUX 電壓。GDH 引腳和 BST 引腳之間也有一個正向 ESD 二極管。請避免將 GDH 至 SW 電壓驅(qū)動至高于 BST 至 SW 電壓。

以下條件會阻止 INL 導通操作：

• 待機模式（由上面的 EN 引腳設置）
• INH 控制 INL/INH 互鎖
• AUX 欠壓鎖定 (UVLO)
• 低側(cè)過熱保護
• 低側(cè) GaN 功率 FET 過流保護

以下條件會阻止 INH 導通操作

• 待機模式（由上面的 EN 引腳設置）
• INL 控制 INL/INH 互鎖
• AUX UVLO
• 低側(cè)過熱保護
• BST UVLO
• 高側(cè)過流保護

以下條件會阻止 GDH 導通操作

• BST UVLO
• 高側(cè)過熱保護
• 高側(cè)過流保護

請注意，INH 引腳被低側(cè)溫度保護阻斷，而 GDH 引腳被高側(cè)溫度保護阻斷。

除 INL/INH 互鎖和過流保護之外的所有阻斷情況都與 INL、INH 或 GDH 邏輯狀態(tài)無關。圖 7-3 展示了這些控制輸入獨立阻斷條件的運行情況。

圖 7-3 控制輸入獨立阻斷條件運行

INL/INH 互鎖阻斷操作在 INL - INH 互鎖 一節(jié)中進行了介紹。同時，過流保護阻斷操作僅在控制輸入已開啟其相應的 GaN 功率 FET 后才有效。有關詳細信息，請參閱過流保護 部分。