ZHCSTP6 May 2024 LMG2650
ADVANCE INFORMATION
內部自舉二極管功能通過智能開關 GaN 自舉 FET 實現。當 GaN 自舉 FET 關斷時，GaN 自舉 FET 會在 AUX 和 BST 之間的兩個方向上阻斷電流。
自舉二極管功能在低側 GaN 功率 FET 導通時激活，在低側 GaN 功率 FET 關斷時停用。GaN 自舉 FET 在自舉二極管非活動階段保持關斷。GaN 自舉 FET 在自舉活動階段開始時一次性導通，并被控制為理想二極管，二極管電流從 AUX 流向 BST 為 BST 至 SW 電容器充電。如果在 GaN 自舉 FET 導通后檢測到從 BST 至 AUX 的小反向電流，則在自舉活動階段的剩余時間內，GaN 自舉 FET 將關斷。
當 BST 至 SW 電容器在自舉活動階段開始時嚴重放電時，自舉二極管功能會實現限流功能以保護 GaN 自舉 FET。如果在 GaN 自舉 FET 導通期間沒有電流限制情況，或者自舉功能在 BST 至 SW 電容器充電時超出電流限制，則在 GaN 自舉 FET 導通時間的剩余時間內會禁用電流限制功能。電流限制功能被禁用以節省靜態電流。