ZHCSTP6 May 2024 LMG2650
ADVANCE INFORMATION
| 最小值 | 最大值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| VDS(ls) | 低側漏源（SW 至 SL）電壓，FET 關斷 | 650 | V | ||
| VDS(surge)(ls) | 低側漏源（SW 至 SL）電壓，浪涌條件，FET 關斷(2) | 720 | V | ||
| VDS(tr)(surge)(ls) | 低側漏源（SW 至 SL）瞬態振鈴峰值電壓，浪涌條件，FET 關斷(2) | 800 | V | ||
| VDS(hs) | 高側漏源（DH 至 SW）電壓，FET 關斷 | 650 | V | ||
| VDS(surge)(hs) | 高側漏源（DH 至 SW）電壓，浪涌條件，FET 關斷(2) | 720 | V | ||
| VDS(tr)(surge)(hs) | 高側漏源（DH 至 SW）瞬態振鈴峰值電壓，浪涌條件，FET 關斷(2) | 800 | V | ||
| 引腳電壓至 AGND | AUX | -0.3 | 30 | V | |
| EN、INL、INH | -0.3 | VAUX + 0.3 | V | ||
| CS | -0.3 | 5.5 | V | ||
| RDRVL | -0.3 | 4 | V | ||
| 引腳電壓至 SW | BST | -0.3 | 30 | V | |
| RDRVH | -0.3 | 4 | V | ||
| GDH | -0.3 | VBST_SW + 0.3 | V | ||
| ID(cnts)(ls) | 低側漏極（SW 至 SL）連續電流，FET 導通 | -11.5 | 在內部限制 | A | |
| ID(pulse)(oc)(ls) | 過流響應期間的低側漏極（SW 至 SL）脈沖電流(3) | 28 | A | ||
| IS(cnts)(ls) | 低側源極（SL 至 SW）連續電流，FET 關斷 | 11.5 | A | ||
| ID(cnts)(hs) | 高側漏極（DH 至 SW）連續電流，FET 導通 | -11.5 | 在內部限制 | A | |
| ID(pulse)(oc)(hs) | 過流響應期間的高側漏極（DH 至 SW）脈沖電流(3) | 28 | A | ||
| IS(cnts)(hs) | 高側源極（SW 至 DH）連續電流，FET 關斷 | 11.5 | A | ||
| 正灌電流 | CS | 10 | mA | ||
| TJ | 工作結溫 | -40 | 150 | °C | |
| Tstg | 貯存溫度 | -40 | 150 | °C | |