4 引腳配置和功能

圖 4-1 RFB 封裝，19 引腳 VQFN（頂視圖）

表 4-1 引腳功能

引腳		類型⁽¹⁾	說明
名稱	編號	類型⁽¹⁾	說明
NC	1、6、9、11	NC	用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。引腳必須焊接至 PCB 著陸焊盤。PCB 著陸焊盤是非阻焊層限定焊盤，不得與 PCB 上的任何其他金屬進行物理連接。內部未連接引腳。
INH	2	I	高側柵極驅動控制輸入。以 AGND 為參考。信號在內部通過電平轉換位移到高側 GaN FET 驅動器。在 INH 到 AUX 之間有一個正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 INH 驅動至高于 AUX 的電平。如果使用 GDH 引腳功能，則將此引腳短接至 AGND。
INL	3	I	低側柵極驅動控制輸入。以 AGND 為參考。在 INL 到 AUX 之間有一個正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 INL 驅動至高于 AUX 的電平。
CS	4	O	電流檢測仿真輸出。輸出與 GaN FET 電流成比例的電流。將輸出電流饋入電阻器以生成電流檢測電壓信號。電阻器以電源控制器 IC 本地接地為基準。此功能取代了與低側 FET 源極串聯使用的外部電流檢測電阻。
SL	5，7	P	低側 GaN FET 源極。低側散熱焊盤。在內部連接到 AGND。
DH	8	P	高側 GaN FET 漏極。
SW	10、15	P	高側 GaN FET 源極和低側 GaN FET 漏極之間的 GaN FET 半橋開關節點。高側散熱焊盤。
GDH	12	I	高側柵極驅動控制輸入。以 SW 為參考。信號直接連接到高側 GaN FET 驅動器。在 GDH 到 BST 之間有一個正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 GDH 驅動至高于 BST 的電平。如果使用 INH 引腳功能，則將此引腳短接至 SW。
RDRVH	13	I	高側驅動強度控制電阻。在 RDRVH 和 SW 之間設置一個電阻，以設定高側 GaN FET 導通壓擺率。
BST	14	P	自舉電壓軌。高側電源電壓。AUX 和 BST 之間的自舉二極管功能在內部提供。在 BST 和 SW 之間連接一個大小合適的自舉電容器。
RDRVL	16	I	低側驅動強度控制電阻。在 RDRVL 和 AGND 之間設置一個電阻，以設定低側 GaN FET 導通壓擺率。
AGND	17	G	低側模擬接地。在內部連接到 SL。
AUX	18	P	輔助電壓軌。低側電源電壓。在 AUX 和 AGND 之間連接一個本地旁路電容器。
EN	19	I	使能。用于在工作模式和待機模式之間切換。待機模式降低了靜態電流，以支持轉換器輕載效率目標。在 EN 到 AUX 之間有一個正向偏置 ESD 二極管，因此可避免將 EN 驅動至高于 AUX 的電平。

(1) I = 輸入，O = 輸出，I/O = 輸入或輸出，G = 地，P = 電源，NC = 無連接。