ZHCSTP6 May 2024 LMG2650
ADVANCE INFORMATION
| 引腳 | 類型(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | ||
| NC | 1、6、9、11 | NC | 用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。引腳必須焊接至 PCB 著陸焊盤。PCB 著陸焊盤是非阻焊層限定焊盤,不得與 PCB 上的任何其他金屬進行物理連接。內部未連接引腳。 |
| INH | 2 | I | 高側柵極驅動控制輸入。以 AGND 為參考。信號在內部通過電平轉換位移到高側 GaN FET 驅動器。在 INH 到 AUX 之間有一個正向偏置 ESD 二極管,因此可避免將 INH 驅動至高于 AUX 的電平。如果使用 GDH 引腳功能,則將此引腳短接至 AGND。 |
| INL | 3 | I | 低側柵極驅動控制輸入。以 AGND 為參考。在 INL 到 AUX 之間有一個正向偏置 ESD 二極管,因此可避免將 INL 驅動至高于 AUX 的電平。 |
| CS | 4 | O | 電流檢測仿真輸出。輸出與 GaN FET 電流成比例的電流。將輸出電流饋入電阻器以生成電流檢測電壓信號。電阻器以電源控制器 IC 本地接地為基準。此功能取代了與低側 FET 源極串聯使用的外部電流檢測電阻。 |
| SL | 5,7 | P | 低側 GaN FET 源極。低側散熱焊盤。在內部連接到 AGND。 |
| DH | 8 | P | 高側 GaN FET 漏極。 |
| SW | 10、15 | P | 高側 GaN FET 源極和低側 GaN FET 漏極之間的 GaN FET 半橋開關節點。高側散熱焊盤。 |
| GDH | 12 | I | 高側柵極驅動控制輸入。以 SW 為參考。信號直接連接到高側 GaN FET 驅動器。在 GDH 到 BST 之間有一個正向偏置 ESD 二極管,因此可避免將 GDH 驅動至高于 BST 的電平。如果使用 INH 引腳功能,則將此引腳短接至 SW。 |
| RDRVH | 13 | I | 高側驅動強度控制電阻。在 RDRVH 和 SW 之間設置一個電阻,以設定高側 GaN FET 導通壓擺率。 |
| BST | 14 | P | 自舉電壓軌。高側電源電壓。AUX 和 BST 之間的自舉二極管功能在內部提供。在 BST 和 SW 之間連接一個大小合適的自舉電容器。 |
| RDRVL | 16 | I | 低側驅動強度控制電阻。在 RDRVL 和 AGND 之間設置一個電阻,以設定低側 GaN FET 導通壓擺率。 |
| AGND | 17 | G | 低側模擬接地。在內部連接到 SL。 |
| AUX | 18 | P | 輔助電壓軌。低側電源電壓。在 AUX 和 AGND 之間連接一個本地旁路電容器。 |
| EN | 19 | I | 使能。用于在工作模式和待機模式之間切換。待機模式降低了靜態電流,以支持轉換器輕載效率目標。在 EN 到 AUX 之間有一個正向偏置 ESD 二極管,因此可避免將 EN 驅動至高于 AUX 的電平。 |