ZHCSTP6 May 2024 LMG2650
ADVANCE INFORMATION
7.3.1 GaN 功率 FET 開關能力
由于硅 FET 長期占據功率開關技術的主導地位，許多設計人員沒有意識到銘牌漏源電壓不能用作跨技術比較器件的等效點。硅 FET 的銘牌漏源電壓由雪崩擊穿電壓決定。GaN FET 的銘牌漏源電壓是根據對數據表規格的長期遵從性設定的。
超過硅 FET 的銘牌漏源電壓可能會立即導致損壞或造成永久性損壞。同時，GaN FET 的擊穿電壓遠高于銘牌漏源電壓。例如，LMG2650 GaN 功率 FET 的擊穿漏源電壓超過 800V，這使得 LMG2650 能夠在超過相同銘牌額定硅 FET 的條件下運行。
我們借助圖 7-1 說明了 LMG2650 GaN 功率 FET 開關能力。該圖顯示了在開關應用中，LMG2650 GaN 功率 FET 在三個不同開關周期內的漏源電壓隨時間的變化情況。不對開關頻率或占空比進行任何聲明。LMG2650 GaN 功率 FET 可在連續導通模式 (CCM) 硬開關、零電壓開關 (ZVS) 和不連續導通模式 (DCM) 開關條件下導通。
圖 7-1 GaN 功率 FET 開關能力FET 處于導通狀態時，每個周期都在 t0 之前開始。在 t0 時，GaN FET 關斷，寄生元件導致漏源電壓以高頻振鈴。高頻振鈴已經減弱了 t1。在 t1 和 t2 之間，FET 漏源電壓由開關應用的特性響應設置。特性以一條平坦的線（平坦區）顯示，但可以有其他響應。在 t2 時，GaN FET 導通。對于罕見的浪涌事件，瞬態環電壓限制為 800V，平坦電壓限制為 720V。