ZHCSST2 November 2024 LMG2640
PRODUCTION DATA
| 引腳 | 類型(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | ||
| NC1 | 1、13 | NC | 用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。引腳必須焊接至 PCB 著陸焊盤。PCB 著陸焊盤是非阻焊層限定焊盤,不得與 PCB 上的任何其他金屬進行物理連接。在內部連接到 DH。 |
| DH | 2–12 | P | 高側 GaN FET 漏極。在內部連接到 NC1。 |
| SW | 14–16 | P | 高側 GaN FET 源極和低側 GaN FET 漏極之間的 GaN FET 半橋開關節點。在內部連接到 PADH。 |
| NC2 | 17、21、37 | NC | 用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。引腳必須焊接至 PCB 著陸焊盤。PCB 著陸焊盤是非阻焊層限定焊盤,不得與 PCB 上的任何其他金屬進行物理連接。在內部連接到 AGND、SL 和 PADL。 |
| SL | 18-20、22–27 | P | 低側 GaN FET 源極。在內部連接到 AGND、PADL 和 NC2。 |
| EN | 28 | I | 使能。用于在工作模式和待機模式之間切換。待機模式降低了靜態電流,以支持轉換器輕載效率目標。在 EN 到 AUX 之間有一個正向偏置 ESD 二極管,因此可避免將 EN 驅動至高于 AUX 的電平。 |
| INH | 29 | I | 高側柵極驅動控制輸入。以 AGND 為參考。信號在內部通過電平轉換位移到高側 GaN FET 驅動器。在 INH 到 AUX 之間有一個正向偏置 ESD 二極管,因此可避免將 INH 驅動至高于 AUX 的電平。 |
| INL | 30 | I | 低側柵極驅動控制輸入。以 AGND 為參考。在 INL 到 AUX 之間有一個正向偏置 ESD 二極管,因此可避免將 INL 驅動至高于 AUX 的電平。 |
| AGND | 31 | GND | 低側模擬接地。在內部連接到 SL、PADL 和 NC2。 |
| CS | 32 | O | 電流檢測仿真輸出。輸出與低側 GaN FET 電流成 0.616ma/A 比例的電流。將輸出電流饋入電阻器以生成電流檢測電壓信號。電阻器以電源控制器 IC 本地接地為基準。此功能取代了與低側 FET 串聯使用的外部電流檢測電阻。 |
| NC3 | 33 | NC | 用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。引腳必須焊接至 PCB 著陸焊盤。PCB 著陸焊盤是非阻焊層限定焊盤,不得與 PCB 上的任何其他金屬進行物理連接。內部未連接引腳。 |
| FLT | 34 | O | 低電平有效故障輸出。在過熱關斷期間置為有效的開漏輸出。 |
| AUX | 35 | P | 輔助電壓軌。低側電源電壓。在 AUX 和 AGND 之間連接一個本地旁路電容器。 |
| RDRVL | 36 | I | 短接至 AGND。 |
| BST | 38 | P | 自舉電壓軌。高側電源電壓。AUX 和 BST 之間的自舉二極管功能在內部提供。在 BST 和 SW 之間連接一個大小合適的自舉電容器。建議使用 NC4 進行 SW 連接,作為與 PADH (PADH = SW) 的直通連接,如 NC4 說明中所述。 |
| RDRVH | 39 | I | 短接至 SW。建議使用 NC4 進行 SW 連接,作為與 PADH (PADH = SW) 的直通連接,如 NC4 說明中所述。 |
| NC4 | 40 | NC | 引腳不起作用。引腳為高阻抗并以 SW 為基準。建議將引腳連接到 PADH (PADH = SW) 以方便連接 BST 旁路電容器和 RDRVH。請參閱布局示例 部分中的電路板布局布線示例。 |
| PADH | 41 | TP | 高側散熱焊盤。在內部連接到 SW。所有 SW 電流都可以通過 PADH (PADH = SW) 傳導。 |
| PADL | 42 | TP | 低側散熱焊盤。在內部連接到 S、AGND 和 NC2。所有 SL 電流都可以通過 PADL (PADL = SL) 傳導。 |