ZHCSNW8A October 2022 – December 2022 LMG2610
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
- 7 Parameter Measurement Information
-
8 Detailed Description
- 8.1 Overview
- 8.2 Functional Block Diagram
- 8.3
Feature Description
- 8.3.1 GaN Power FET Switching Capability
- 8.3.2 Turn-On Slew-Rate Control
- 8.3.3 Current-Sense Emulation
- 8.3.4 Bootstrap Diode Function
- 8.3.5 Input Control Pins (EN, INL, INH)
- 8.3.6 INL - INH Interlock
- 8.3.7 AUX Supply Pin
- 8.3.8 BST Supply Pin
- 8.3.9 Over-Current Protection
- 8.3.10 Over-Temperature Protection
- 8.3.11 Fault Reporting
- 8.4 Device Functional Modes
- 9 Application and Implementation
- 10Device and Documentation Support
- 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information
3 說明
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器。LMG2610 通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，簡化了設計、減少了元件數量并減小了布板空間。
非對稱 GaN FET 電阻針對 ACF 工作條件進行了優化。可編程導通壓擺率可提供 EMI 和振鈴控制。與傳統的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到冷卻 PCB 電源接地。
高側柵極驅動信號電平轉換器消除了外部解決方案中出現的噪聲和突發模式功率耗散問題。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。
LMG2610 具有低靜態電流和快速啟動時間，支持轉換器輕負載效率要求和突發模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。
器件信息
| 器件型號 | 封裝 (1) | 封裝尺寸（標稱值） |
|---|---|---|
| LMG2610 | QFN | 9.00 mm x 7.00 mm |
