ZHCSKE1I February 2019 – May 2025 LM63615-Q1 , LM63625-Q1
PRODUCTION DATA
任何降壓穩(wěn)壓器的壓降性能都受功率 MOSFET 的 RDSON、電感器的直流電阻和控制器可實(shí)現(xiàn)的最大占空比的影響。當(dāng)輸入電壓電平接近輸出電壓時(shí),高側(cè) MOSFET 的關(guān)斷時(shí)間開始接近最小值(請參閱節(jié) 6)。超過此值后,開關(guān)可能會變得不穩(wěn)定,輸出電壓可能會下降到穩(wěn)壓范圍之外。為了避免這個(gè)問題,LM636x5-Q1 會自動降低開關(guān)頻率以增加實(shí)際占空比并維持穩(wěn)壓。本數(shù)據(jù)表中使用了兩種壓降 電壓定義。對于這兩種定義,電壓降是在特定條件下輸入和輸出電壓之間的差值。對于第一種定義,壓差是在開關(guān)頻率下降到 1850kHz 時(shí)獲得的(這顯然適用于標(biāo)稱開關(guān)頻率 >1850kHz 的情況)。在這種情況下,輸出電壓處于穩(wěn)壓范圍內(nèi)。對于第二種定義,壓差是在輸出電壓下降標(biāo)稱穩(wěn)壓值的 1% 時(shí)獲得的。在這種情況下,開關(guān)頻率已達(dá)到約 130kHz 的下限。有關(guān)上述特性的詳細(xì)信息,請參閱節(jié) 8.2.3。典型的總體壓降特性可在圖 7-11中找到。
圖 7-11 總體壓降特性 VOUT = 5V