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ZHCSKE1I February 2019 – May 2025 LM63615-Q1 , LM63625-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

PWP|16
- MPDS371C
DRR|12
- MPSS085A

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

PWP|16
- PPTD262C
DRR|12
- PPTD366A

訂購信息

7.4.5 電流限制和短路保護

LM636x5-Q1 整合了峰值和谷值電感器電流限值，可為器件提供過載和短路保護，并限制最大輸出電流。谷值電流限值可防止電感器電流在輸出短路期間耗盡，而峰值和谷值限值則協同工作，以限制轉換器的最大輸出電流。還采用了“斷續”模式以實現持續短路。最后，在低側功率 MOSFET 上使用零電流檢測器在輕負載下實施 DEM（請參閱術語表）。該限值的標稱值約為 0A。

當器件過載時，會達到一個電感器電流谷值在下一個時鐘周期之前無法達到低于 I_LS-LIMIT 的點。發生這種事件時，谷值電流限值控制會跳過該周期，從而導致開關頻率下降。進一步過載會導致開關頻率繼續下降，輸出電壓仍保持穩定。隨著過載的增加，電感電流紋波和峰值電流都將增加，直至達到高側電流限值 I_SC。激活此限值后，開關占空比會降低，輸出電壓會下降到超出穩壓范圍。這表示轉換器的最大輸出電流，根據方程式 3 得出近似值。當器件更深入地進入過載狀態時，輸出電壓和開關頻率繼續下降，而輸出電流保持在大約 I_OMAX。如果電感器紋波電流較大，則可以在達到低側限值之前跳閘高側電流限值。在本例中，方程式 4 給出了近似的最大輸出電流。

方程式 3.

I_{O M A X} \approx \frac{I_{S C} + I_{L S - L I M I T}}{2}

方程式 4.

I_{O M A X} \approx I_{S C} - \frac{(V_{I N} - V_{O U T})}{2 \times L \times f_{S W}} \times \frac{V_{O U T}}{V_{I N}}

如果嚴重過載或短路導致 FB 電壓降至 V_HICCUP 以下，轉換器將進入“斷續”模式。V_HICCUP 代表標稱編程輸出電壓的大約 40%。在該模式下，器件在 t_OC（即大約 100ms）內停止開關，然后通過軟啟動進行正常重啟。如果短路情況仍然存在，器件在電流限制下的運行時間比 t_{OC_active}（即大約 23 ms）長一點，然后再次關斷。只要短路情況仍然存在，該周期就會重復（如圖 7-12 所示）。該運行模式可在輸出持續短路期間降低器件的溫升。此模式下的輸出電流約為 I_OMAX 的 20%。輸出短路被移除并且 t_OC 延遲過后，輸出電壓將正常恢復，如圖 7-13 所示。

有關總輸出電壓與輸出電流特性的信息，請參閱圖 7-14。

LM63615-Q1 LM63625-Q1 短路模式下的電感器電流突發；LM63625

圖 7-12 短路模式下的電感器電流突發；LM63625

圖 7-13 短路瞬態和恢復；LM63625

圖 7-14 電流限制中的輸出電壓與輸出電流