ZHCSYV6 September 2025 LM51770-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
-
8 詳細(xì)說(shuō)明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說(shuō)明
- 8.3.1 上電復(fù)位（POR 系統(tǒng)）
- 8.3.2 降壓/升壓控制方案
- 8.3.3 節(jié)能模式
- 8.3.4 電源電壓選擇 – VMAX 開(kāi)關(guān)
- 8.3.5 使能和欠壓鎖定
- 8.3.6 振蕩器頻率選擇
- 8.3.7 頻率同步
- 8.3.8 電壓調(diào)節(jié)環(huán)路
- 8.3.9 輸出電壓跟蹤
- 8.3.10 斜率補(bǔ)償
- 8.3.11 可配置軟啟動(dòng)
- 8.3.12 峰值電流傳感器
- 8.3.13 電流監(jiān)控和電流限制控制環(huán)路
- 8.3.14 短路 - 斷續(xù)保護(hù)
- 8.3.15 nFLT 引腳和保護(hù)
- 8.3.16 器件配置引腳
- 8.3.17 雙隨機(jī)展頻 - DRSS
- 8.3.18 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 8.4 器件功能模式
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DCP|38
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.4 器件功能模式
圖 8-23 描述了內(nèi)部器件邏輯的功能行為。
圖 8-23 功能狀態(tài)圖
DEVICE_OFF
在 DEVICE_OFF 狀態(tài)期間，LM51770-Q1 處于關(guān)斷狀態(tài)。所有內(nèi)部邏輯和直流/直流轉(zhuǎn)換器以及柵極驅(qū)動(dòng)器均關(guān)閉。內(nèi)部 POR 系統(tǒng)監(jiān)控 EN 閾值，以啟動(dòng)基準(zhǔn)系統(tǒng)和器件邏輯的初始化。器件電流消耗由關(guān)斷電流給出。
MAIN_LOGIC_ON
LM51770-Q1 轉(zhuǎn)換到 MAIN_LOGIC_ON 狀態(tài)后，將先保持 POWER_STAGE_OFF 狀態(tài)。此時(shí)將為啟動(dòng)進(jìn)行必要的檢查并做好準(zhǔn)備。電流消耗由待機(jī)電流給出。
HOLD-R2D
在此狀態(tài)下會(huì)讀取 CFG 引腳設(shè)置，邏輯會(huì)存儲(chǔ)這些設(shè)置，直到下一個(gè) EN 引腳周期。
READ_R2D
在 READ-R2D 狀態(tài)期間，LM51770-Q1 執(zhí)行 CFG 引腳的讀取，以獲取由放置的電阻器確定的所選設(shè)置。
POWER_STAGE_ACTIVE
在每次進(jìn)入該狀態(tài)期間，器件都會(huì)執(zhí)行軟啟動(dòng)斜坡，以避免過(guò)多的浪涌電流。在該狀態(tài)下，功率級(jí)處于運(yùn)行狀態(tài)，轉(zhuǎn)換器處于運(yùn)行狀態(tài)。電流消耗由電氣規(guī)格表中的有效靜態(tài)電流給出。
TSD
如果器件結(jié)溫超過(guò)熱關(guān)斷限值，器件將進(jìn)入 TSD 狀態(tài)，一旦觸發(fā)熱關(guān)斷遲滯，器件將自動(dòng)轉(zhuǎn)換回 POWER_STAGE_ACTIVE 狀態(tài)。