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ZHCSWW7B August 2024 – August 2025 LM5137-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RHA|36
- MPQF611A

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RHA|36
- QFND795

訂購信息

8.4.1.1 功率級(jí)布局

輸入電容器、輸出電容器和 MOSFET 是降壓穩(wěn)壓器功率級(jí)的構(gòu)建元件，并通常放在 PCB 的頂層（焊接面）上。可以利用任何系統(tǒng)級(jí)空氣流動(dòng)，因此可以盡可能地發(fā)揮對(duì)流熱傳遞的優(yōu)勢(shì)。在雙面 PCB 布局中，小信號(hào)元件通常放置在底部（元件側(cè)）。至少插入一個(gè)內(nèi)部平面并接地以實(shí)現(xiàn)屏蔽，并使小信號(hào)跡線與嘈雜的電力跡線和線路分離開。
直流/直流穩(wěn)壓器具有多個(gè)高電流環(huán)路。盡可能地減小這些環(huán)路的面積，以抑制產(chǎn)生的開關(guān)噪聲并優(yōu)化開關(guān)性能。
- 環(huán)路 1：要盡可能縮小的最重要環(huán)路面積源于以下路徑：從輸入電容器到高側(cè)和低側(cè) MOSFET，然后再通過接地線回到輸入電容器。將輸入電容器負(fù)端子連接到低側(cè) MOSFET（接地端）的源極附近。同樣，將輸入電容器正端子連接到高側(cè) MOSFET（VIN 處）的漏極附近。請(qǐng)參閱圖 8-29 的“環(huán)路 1”。
- 另一個(gè)環(huán)路不像環(huán)路 1 那么重要，其對(duì)應(yīng)的路徑是從低側(cè) MOSFET 到電感器或輸出電容器，再通過接地線回到低側(cè) MOSFET 的漏極。盡可能地靠近接地端連接低側(cè) MOSFET 的源極和輸出電容器的負(fù)端子。
PCB 跡線定義為 SW 節(jié)點(diǎn)，它連接到高側(cè)（控制）MOSFET 的源極、低側(cè)（同步）MOSFET 的漏極和電感器的高壓側(cè)，必須盡可能短而寬。不過，SW 連接是注入 EMI 的來源，因此不得過大。
遵循 MOSFET 制造商建議的任何 MOSFET 布局注意事項(xiàng)，包括焊盤幾何形狀和焊錫膏模版設(shè)計(jì)。
SW 引腳連接到功率轉(zhuǎn)換級(jí)的開關(guān)節(jié)點(diǎn)并用作高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的返回路徑。圖 8-29 中環(huán)路 1 固有的寄生電感和兩個(gè)功率 MOSFET 的輸出電容 (C_OSS) 構(gòu)成了一個(gè)諧振電路，該電路會(huì)在 SW 節(jié)點(diǎn)處引入高頻（超過 50MHz）振鈴。如果不加控制，此振鈴的電壓峰值會(huì)顯著高于輸入電壓。確保峰值振鈴幅度沒有超過 SW 引腳的絕對(duì)最大額定值限制。在很多情況下，從 SW 節(jié)點(diǎn)連接到 GND 的串聯(lián)電阻器和電容器緩沖器網(wǎng)絡(luò)會(huì)抑制該振鈴并減小峰值幅度。提供針對(duì) PCB 布局中緩沖器網(wǎng)絡(luò)元件的配置。如果測(cè)試表明 SW 引腳處的振鈴幅度過大，則可以在需要時(shí)添加緩沖器元件。