ZHCSWW7B August 2024 – August 2025 LM5137-Q1
PRODUCTION DATA
表 8-2 展示了此汽車電路示例的預期輸入、輸出和性能參數。
| 設計參數 | 值 |
|---|---|
| 輸入電壓范圍(穩態) | 6.5V 至 36V,標稱電壓 13.5V |
| 最小瞬態輸入電壓(冷啟動) | 4.5V |
| 最大瞬態輸入電壓(負載突降) | 36V |
| 輸出電壓 | 5V、3.3V |
| 輸出電流 (EDC)(1) | 20A |
| 輸出電流 (TDC)(1) | 15A |
| 開關頻率 | 440kHz |
| 5V、15A 條件下的目標效率 | 96% |
| 3.3V、15A 條件下的目標效率 | 94.5% |
| 輸出電壓調節 | ±1% |
| 環路交叉頻率 | 60kHz |
| 相位裕度 | > 45° |
| 空載睡眠電流,通道 2 被禁用 | < 20μA |
| 關斷電流 | 4μA |
電阻器 RRT 將開關頻率設置為 440kHz。在控制環路性能方面,目標環路交叉頻率設置為開關頻率(本例中為 60kHz)的 10% 至 15% 范圍內,其中目標相位裕度大于 45°。在 RSS 處連接一個 20kΩ 電阻會將輸出電壓軟啟動時間設置為 4.6ms。
表 8-3 中列出了所選的降壓穩壓器動力總成系統器件,其中很多器件都可以從多個供應商處獲得。功率 MOSFET 介紹了選擇功率 MOSFET 以實現最低的導通和開關功率損耗。此應用電路使用了 40V 邏輯電平 功率 MOSFET、具有低 DCR 的金屬合金降壓電感器、低 ESL 分流器以及陶瓷輸入和輸出電容器,這些器件均符合 AEC 標準。
| 參考位號 | 數量 | 規格(1) | 制造商 | 器件型號 |
|---|---|---|---|---|
| CIN1、CIN2 | 8 | 10μF,50V,X7R,1210,陶瓷,AEC-Q200 | TDK | CNA6P1X7R1H106K |
| 10μF,50V,X7S,1210,陶瓷,AEC-Q200 | Murata | GCM32EC71H106K | ||
| TDK | CGA6P3X7S1H106K | |||
| COUT1、COUT2 | 8 | 47μF,10V,X7S,1210,陶瓷,AEC-Q200 | TDK | CNA6P1X7S1A476M |
| Murata | GCM32EC71A476K | |||
| LO1、LO2 | 2 | 1μH,2.3mΩ,37A,10.85mm × 10mm × 5.2mm,AEC-Q200 | Cyntec | VCHA105D-1R0MS6 |
| 1μH,2.3mΩ,37A,11mm × 10mm × 5.1mm,AEC-Q200 | Bourns | SRP1050WA-1R0M | ||
| 1μH,2.1mΩ,24A,10.8mm × 10mm × 5mm,AEC-Q200 | Eaton | HCM1A1105V2-1R0-R | ||
| 1μH,2.7mΩ,33.8A,10.85mm × 10mm × 3.8mm,AEC-Q200 | Würth Electronik | 784373680010 | ||
| 1μH,2.4mΩ,36.6A,10.5mm × 10mm × 6.5mm,AEC-Q200 | TDK | SPM10065VT-1R0M-D | ||
| Q1、Q3 | 2 | 40V,3.6mΩ,9nC,SON 5 × 6,AEC-Q101 | Infineon | IAUCN04S7L028ATMA1 |
| Q2、Q4 | 2 | 40V,2.4mΩ,15nC,SON 5 × 6,AEC-Q101 | Infineon | IAUCN04S7L019ATMA1 |
| RS1、RS2 | 2 | 分流器,2mΩ ±2%,±100ppm/°C,1225,3W,AEC-Q200 | Susumu | KRL6432E-M-R002-G |
| U1 | 1 | LM5137-Q1 80V 雙輸出降壓控制器、AEC-Q100 | 德州儀器 (TI) | LM5137QRHARQ1 |