ZHCSWW7B August 2024 – August 2025 LM5137-Q1
PRODUCTION DATA
根據(jù) LM25137F-Q1-EVM5D3 設計,圖 8-30 展示了雙路輸出同步降壓穩(wěn)壓器的單面布局。該設計采用 PCB 的第 2 層作為頂層正下方的電源環(huán)路接地返回路徑,以構(gòu)成約 2mm2 的小面積開關電源環(huán)路。該環(huán)路面積必須盡可能小,以最大限度地減小電源環(huán)路寄生電感,從而減少開關節(jié)點電壓過沖和振鈴(并因此改善整體 EMI 特征)。另請參閱 LM25137F-Q1-EVM5D3 評估模塊和 LM5137F-Q1-EVM12V 評估模塊 EVM 用戶指南。
如圖 8-31 中所示,高頻電源環(huán)路電流從 MOSFET Q3 和 Q4,再經(jīng)過第 2 層上的電源接地平面,然后通過 0603 陶瓷電容器 C30 至 C33 流回至 VIN。垂直環(huán)路配置中沿相反流動的電流提供了場自相抵消效果,從而減少了寄生環(huán)路電感。圖 8-32 中的側(cè)視圖展示了在多層 PCB 結(jié)構(gòu)中構(gòu)成自相抵消的薄型環(huán)路這一概念。圖 8-31 中所示的第 2 層(GND 平面層)在 MOSFET 正下方提供了一個連接到 Q4 源極端子的緊密耦合電流返回路徑。
靠近每個高側(cè) MOSFET 的漏極并聯(lián)四個具有 0603 小型外殼尺寸的 10nF 輸入電容器。小尺寸電容器的低 ESL 和高自諧振頻率 (SRF) 可以帶來出色的高頻性能。這些電容器的負端子通過多個直徑為 12mil (0.3mm) 的過孔連接到第 2 層(GND 平面),從而進一步減少寄生電感。
本布局示例中使用的額外步驟包括: