將控制器靠近功率 MOSFET 放置并盡可能地縮短柵極驅動器布線長度,如此一來,與模擬和反饋信號以及電流檢測相關的分量便可以通過如下方式加以考慮:
- 分離電源和信號跡線,并使用接地平面來提供噪聲屏蔽。
- 將與 COMP1/2、FB1/2、ISNS1/2+、RSS 和 RT 相關的所有敏感模擬跡線和元件遠離高壓開關節點(例如 SW1/2、HO1/2、LO1/2 或 CBOOT1/2)放置,以避免相互耦合。使用多個內部層作為接地平面。特別注意將反饋 (FB) 跡線與電源跡線和元件隔離開來。
- 將上反饋電阻器和下反饋電阻器(需要時)靠近相應的 FB 引腳放置,從而使 FB 跡線盡可能短。將跡線從上反饋電阻器布放到負載處所需的輸出電壓檢測點上。
- 以差分對形式布放 [ISNS1+, BIAS1/VOUT1] 和 [ISNS2+, VOUT1/2] 跡線,從而更大限度地減少噪聲拾取,并使用開爾文連接方式連接到適用的分流電阻器(如果進行的是分流電流檢測)或連接到檢測電容器(如果進行的是電感器 DCR 電流檢測)。具體來說,使用寬跡線連接到 BIAS1/VOUT1,最好是 80mil (2mm),以盡可能地減小與流入影響電流檢測的該引腳的偏置電流相關的壓降。
- 盡可能地縮小從 VCC 和 VIN 引腳通過相應去耦電容器到 PGND 引腳的環路面積。將這些電容器盡可能靠近 LM5137-Q1 放置。