ZHCSWW7B August 2024 – August 2025 LM5137-Q1
PRODUCTION DATA
表 8-6 展示了此電路示例的預(yù)期輸入、輸出和性能參數(shù)。
| 設(shè)計(jì)參數(shù) | 值 |
|---|---|
| 輸入電壓范圍（穩(wěn)態(tài)） | 36V 至 65V |
| 標(biāo)稱(chēng)輸入電壓 | 48V |
| 最小瞬態(tài)輸入電壓 | 20V |
| 最大瞬態(tài)輸入電壓 | 72V |
| 輸出電壓設(shè)定點(diǎn) | 12V |
| 額定輸出電流 | 20A |
| 開(kāi)關(guān)頻率 | 400kHz |
| 10A、20A 條件下的目標(biāo)效率 | 96%，95.5% |
| 輸入電壓 UVLO 導(dǎo)通/關(guān)斷 | 23V、19V |
| 禁用相位 2 時(shí)的空載睡眠電流 | < 20μA |
| 關(guān)斷電流 | 4μA |
57.6kΩ 的電阻 RRT 會(huì)將開(kāi)關(guān)頻率設(shè)置為 400kHz。在控制環(huán)路性能方面，目標(biāo)環(huán)路交叉頻率為 60kHz 并且相位裕度大于 50°。20kΩ 的 RSS 電阻會(huì)將輸出電壓軟啟動(dòng)時(shí)間設(shè)置為 4.5ms。
表 8-7 中列出了所選的降壓穩(wěn)壓器動(dòng)力總成系統(tǒng)器件，其中很多器件都可以從多個(gè)供應(yīng)商處獲得。此設(shè)計(jì)使用了 80V 邏輯電平 MOSFET、屏蔽降壓電感器、具有大寬高比、低 ESL 的分流電阻器、額定電壓為 100V 的陶瓷輸入電容器和額定電壓為 25V 的陶瓷輸出電容器。
| 參考位號(hào) | 數(shù)量 | 規(guī)格(1) | 制造商 | 器件型號(hào) |
|---|---|---|---|---|
| CIN1、CIN2 | 8 | 4.7μF，100V，X7S，1210，陶瓷，AEC-Q200 | TDK | CGA6M3X7S2A475K200 |
| Murata | GCM32DC72A475KE02L | |||
| COUT1、COUT2 | 8 | 22μF，25V，X7R，1210，陶瓷，AEC-Q200 | TDK | CGA6P3X7R1E226M250 |
| 22μF，25V，X7S，1210，陶瓷，AEC-Q200 | Murata | GCM32EC71E226KE36 | ||
| LO1、LO2 | 2 | 5.6μH，10mΩ，15A，10.85mm × 10mm × 5.2mm，AEC-Q200 | Cyntec | VCHW105D-5R6MS5 |
| 5.6μH，14mΩ，12A，10.8mm × 10mm × 5mm，AEC-Q200 | Eaton | HCM1A1105V2-5R6-R | ||
| 5.6μH，10.2mΩ，16.2A，11mm × 10mm × 5.1mm，AEC-Q200 | Bourns | SRP1050WA-5R6M | ||
| 4.7μH，13.5mΩ，16A，10.85mm × 10mm × 3.8mm，AEC-Q200 | Würth Electronik | 784373680047 | ||
| Q1、Q3 | 2 | 80V，13.4mΩ，8nC，SON 5 × 6，AEC-Q101 | onsemi | NVMFS6H852NLT1G |
| Q2、Q4 | 2 | 80V，6.2mΩ，16nC，SON 5 × 6，AEC-Q101 | onsemi | NVMFS6H836NLT1G |
| RS1、RS2 | 2 | 分流器、4mΩ ±1%、±50ppm/°C、0612 寬高比、1.5W、AEC-Q200 | Susumu | KRL3216E-C-R004-F |
| U1 | 1 | LM5137-Q1 80V 兩相同步降壓控制器、AEC-Q100 | 德州儀器 (TI) | LM5137QRHARQ1 |