與升壓轉換器一樣,MOSFET 選型要考慮的重要參數包括最小閾值電壓 VTH(MIN)、導通電阻 RDS(ON)、總柵極電荷 Qg、反向傳輸電容 CRSS 和最大漏源電壓 VDS(MAX)。SEPIC 中的峰值開關電壓使用方程式 35 計算。
方程式 35. VSW(PEAK) = VIN + VOUT + VDIODE
選擇的 MOSFET 應滿足以下條件:
方程式 36. VDS(MAX) > VSW(PEAK)
峰值開關電流使用方程式 37 計算。
方程式 37. 
流經開關的均方根電流使用方程式 38 計算。
方程式 38. 