ZHCSI45A April 2018 – June 2025 LM3478Q-Q1
PRODUCTION DATA
LM3478Q-Q1 器件采用固定頻率、脈寬調制 (PWM) 電流模式控制架構。節 6.2展示了基本功能。在典型應用電路中,流經外部 MOSFET 的峰值電流通過外部檢測電阻進行檢測。該電阻器上的電壓被饋送到 ISEN 引腳。然后,該電壓會被饋送到 PWM 比較器的正輸入端。輸出電壓也通過外部反饋電阻分壓器網絡進行檢測,并被饋送到誤差放大器負輸入端(反饋引腳,FB)。誤差放大器(COMP 引腳)的輸出會添加到斜率補償斜坡中,然后被饋送到 PWM 比較器的負輸入端。在任何開關周期開始時,振蕩器都會使用開關邏輯塊設置 RS 鎖存器。這會在 DR 引腳(外部 MOSFET 的柵極)上強制產生一個高電平信號,并且外部 MOSFET 會導通。當 PWM 比較器正輸入端上的電壓超過負輸入端上的電壓時,RS 鎖存器會復位并且外部 MOSFET 會關斷。
檢測電阻上的電壓通常包含雜散噪聲尖峰,如圖 6-1 所示。這些尖峰可以強制 PWM 比較器過早復位 RS 鎖存器。為了防止這些尖峰復位鎖存器,IC 內部的消隱電路會防止 PWM 比較器在鎖存器設置后的短時間內復位鎖存器。此持續時間約為 325ns,稱為消隱間隔,并在“電氣特性”部分中指定為最短導通時間。在極輕負載或空載條件下,當外部 MOSFET 導通時,在消隱間隔內提供給輸出電容器的能量會大于提供給負載的能量。LM3478Q-Q1 內部的過壓比較器防止輸出電壓在這些條件下升高。過壓比較器會檢測反饋(FB 引腳)電壓并使 RS 鎖存器復位。鎖存器保持復位狀態,直到輸出衰減到標稱值。
圖 6-1 PWM 比較器的基本運行