ZHCSI45A April 2018 – June 2025 LM3478Q-Q1
PRODUCTION DATA
LM3478Q-Q1 的驅動引腳必須連接至外部 MOSFET 的柵極。驅動引腳 (DR) 電壓取決于輸入電壓(請參閱節 5.6)。在大多數應用中,可以使用邏輯電平 MOSFET。對于極低的輸入電壓,應使用子邏輯電平 MOSFET。所選的 MOSFET 對系統效率有很大影響。選擇 MOSFET 的關鍵參數包括:
MOSFET 的關斷狀態電壓約等于輸出電壓。Vds(max) 必須大于輸出電壓。MOSFET 中的功率損耗可分為導通損耗和開關損耗。需要 RDS(ON) 來估算導通損耗 Pcond:。
溫度對 RDS(ON) 的影響通常非常顯著。可在高溫條件下增加 30%。
對于方程式 28 中的電流 I,可以使用平均電感器電流。
尤其在高開關頻率下,開關損耗可能是總損耗的最大部分。
由于給定 MOSFET 在運行中的寄生效應發生變化,因此很難計算開關損耗。通常情況下,單個 MOSFET 的數據表所提供的信息不足以得出有用的結果。方程式 29 和方程式 30 大致說明了如何計算開關損耗:

