ZHCSCX5B October 2014 – April 2024 DRV8848
PRODUCTION DATA
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源（VM、VINT） | ||||||
| VVM | VM 工作電壓 | 4 | 18 | V | ||
| IVM | VM 工作電源電流 | VVM = 12V，不包括繞組電流， nSLEEP = 1 |
1.2 | 1.35 | 1.5 | mA |
| IVMQ | VM 睡眠模式電源電流 | VVM = 12V，nSLEEP = 0 | 0.5 | 1.2 | 3 | μA |
| tSLEEP | 睡眠時間 | nSLEEP = 0 以進入睡眠模式 | 1 | ms | ||
| tWAKE | 喚醒時間 | nSLEEP = 1 至輸出轉換 | 1 | ms | ||
| tON | 加電時間 | VVM > VUVLO 上升至輸出切換 | 1 | ms | ||
| VINT | VINT 電壓 | VVM > 4V，IOUT = 0A 至 1mA | 3.13 | 3.3 | 3.47 | V |
| 邏輯電平輸入（BIN1、BIN2、NSLEEP） | ||||||
| VIL | 輸入邏輯低電平電壓 | 0 | 0.7 | V | ||
| VIH | 輸入邏輯高電平電壓 | 1.6 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 輸入邏輯遲滯 | 100 | mV | |||
| IIL | 輸入邏輯低電平電流 | VI = 0V | -1 | 1 | μA | |
| IIH | 輸入邏輯高電平電流 | VI = 5V | 1 | 30 | μA | |
| RPD | 下拉電阻 | BIN1、BIN2 | 200 | kΩ | ||
| RPD | 下拉電阻 | nSLEEP | 500 | kΩ | ||
| tDEG | 輸入抗尖峰脈沖時間 | AIN1 或 AIN2 | 400 | ns | ||
| tDEG | 輸入抗尖峰脈沖時間 | BIN1 或 BIN2 | 200 | ns | ||
| tPROP | 傳播延遲 | AIN1 或 AIN2 邊沿到輸出變化 | 800 | ns | ||
| tPROP | 傳播延遲 | BIN1 或 BIN2 邊沿到輸出變化 | 400 | ns | ||
| 三電平輸入（AIN1、AIN2） | ||||||
| VIL | 三電平輸入邏輯低電壓 | 0 | 0.7 | V | ||
| VIZ | 三電平輸入高阻抗電壓 | 1.1 | V | |||
| VIH | 三電平輸入邏輯高電壓 | 1.6 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 三電平輸入遲滯 | 100 | mV | |||
| IIL | 三電平輸入邏輯低電平電流 | VIN = 0V | -30 | -1 | μA | |
| IIH | 三電平輸入邏輯高電平電流 | VIN = 5V | 1 | 30 | μA | |
| RPD | 三電平下拉電阻 | 至 GND | 170 | kΩ | ||
| RPU | 三電平上拉電阻 | 至 VINT | 340 | kΩ | ||
| 控制輸出 (NFAULT) | ||||||
| VOL | 輸出邏輯低電平電壓 | IO = 5mA | 0.5 | V | ||
| IOH | 輸出邏輯高電平漏電流 | VO = 3.3 V | -1 | 1 | μA | |
| 電機驅動器輸出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2） | ||||||
| RDS(ON) | 高側 FET 導通電阻 | VVM = 12V、IO = 0.5A、TJ = 25°C | 550 | mΩ | ||
| RDS(ON) | 高側 FET 導通電阻 | VVM = 12 V、IO = 0.5 A, TJ = 85°C(1) | 660 | mΩ | ||
| RDS(ON) | 低側 FET 導通電阻 | VVM = 12V、IO = 0.5A、TJ = 25°C | 350 | mΩ | ||
| RDS(ON) | 低側 FET 導通電阻 | VVM = 12 V、IO = 0.5 A, TJ = 85°C(1) | 420 | mΩ | ||
| IOFF | 關斷狀態漏電流 | VVM = 5V，TJ = 25°C | -1 | 1 | μA | |
| tRISE | 輸出上升時間 | 60 | ns | |||
| tFALL | 輸出下降時間 | 60 | ns | |||
| tDEAD | 輸出死區時間 | 內部死區時間 | 200 | ns | ||
| PWM 電流控制（VREF、AISEN、BISEN） | ||||||
| IREF | 外部施加的 VREF 輸入電流 | VVREF = 1 至 3.3V | 1 | μA | ||
| VTRIP | xISEN 跳變電壓 | VVREF = 3.3V 時的 100% 電流階躍 | 500 | mV | ||
| tBLANK | 電流檢測消隱時間 | 1.8 | μs | |||
| AISENSE | 電流檢測放大器增益 | 僅供參考 | 6.6 | V/V | ||
| tOFF | 電流控制恒定關斷時間 | 20 | μs | |||
| 保護電路 | ||||||
| VUVLO | VM 欠壓鎖定 | VVM 下降；UVLO 報告 | 2.9 | V | ||
| VVM 上升；UVLO 恢復 | 3 | V | ||||
| IOCP | 過流保護跳變電平 | 2 | A | |||
| tDEG | 過流抗尖峰時間 | 2.8 | μs | |||
| tOCP | 過流保護周期 | 1.6 | ms | |||
| TTSD(1) | 熱關斷溫度 | 內核溫度 TJ | 150 | 160 | 180 | °C |
| THYS(1) | 熱關斷遲滯 | 內核溫度 TJ | 50 | °C | ||