ZHCSXL6 December 2024 DRV8351-SEP
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12修訂歷史記錄
- 13機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PW|20
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.2.2 自舉電容器和 GVDD 電容器選型
自舉電容器的大小必須能夠維持自舉電壓高于欠壓鎖定以實(shí)現(xiàn)正常運(yùn)行。方程式 1 用于計(jì)算自舉電容器上允許的最大壓降：
=12V – 0.85V – 4.5V = 6.65V
其中
- VGVDD 是柵極驅(qū)動(dòng)器的電源電壓
- VBOOTD 是自舉二極管的正向壓降
- VBSTUV 是自舉欠壓鎖定的閾值
在本示例中，自舉電容器的允許壓降為 6.65V。通常情況下，建議盡量降低自舉電容器和 GVDD 電容器上的紋波電壓。很多商業(yè)、工業(yè)和汽車應(yīng)用中采用介于 0.5V 和 1V 之間的紋波值。
每個(gè)開關(guān)周期所需的總電荷可以通過方程式 2 進(jìn)行估算：
= 48nC + 220μA/20kHz = 50nC + 11nC = 59nC
其中
- QG 是總 MOSFET 柵極電荷
- ILBS_TRAN 是自舉引腳漏電流
- fSW 是 PWM 頻率
假設(shè) ΔVBSTx 為 1V，則最小自舉電容器可通過以下公式進(jìn)行估算：
= 59nC/1V = 59nF
計(jì)算出的最小自舉電容值為 59nF。請(qǐng)注意，這是全偏置電壓條件下所需的電容值。實(shí)際應(yīng)用中，自舉電容值必須大于計(jì)算值，才能確保在功率級(jí)可能因各種瞬態(tài)條件而發(fā)生脈沖跳躍的情況下正常使用。在本示例中，建議使用 100nF 自舉電容器。此外，還建議預(yù)留足夠的裕度，并將自舉電容器盡可能靠近 BSTx 和 SHx 引腳放置。
= 10*100nF= 1μF
對(duì)于該示例應(yīng)用，選擇 1μF CGVDD 電容器。選擇電壓等級(jí)至少是其將承受的最大電壓兩倍的電容器，因?yàn)榇蠖鄶?shù)陶瓷電容器在偏置時(shí)會(huì)損失大量電容。該值還可提高系統(tǒng)的長期可靠性。