ZHCSXL6 December 2024 DRV8351-SEP
PRODUCTION DATA
DRV8351-SEP 是一款三相半橋柵極驅動器,能夠驅動高側和低側 N 溝道功率 MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和外部電容為高側 MOSFET 生成合適的柵極驅動電壓。GVDD 用于為低側 MOSFET 生成柵極驅動電壓。此柵極驅動架構支持高達 750mA 的峰值拉電流和 1.5A 的峰值灌電流。
相位引腳 SHx 能夠承受顯著的瞬變負電壓;而高側柵極驅動器電源 BSTx 和 GHx 能夠支持更高的瞬變正電壓 (57.5V) 絕對最大電壓,從而提高系統的魯棒性。較小的傳播延遲和延遲匹配參數可盡可能降低死區時間要求,從而進一步提高效率。通過 GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側和高側提供欠壓保護。
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸(2) | 封裝尺寸(標稱值) |
|---|---|---|---|
| DRV8351DMPWTSEP | TSSOP (20) | 6.50mm × 6.40mm | 6.40mm × 4.40mm |
| DRV8351DIMPWTSEP | TSSOP (20) | 6.50mm × 6.40mm | 6.40mm × 4.40mm |