DRV8351-SEP
- 40V 三相半橋柵極驅動器
- 驅動 N 溝道 MOSFET (NMOS)
- 柵極驅動器電源 (GVDD)：5-15V
- MOSFET 電源 (SHx) 支持高達 40V 的電壓
- 目標輻射性能
- SEL、SEB 和 SET 對于 LET 的抗擾度高達 43MeV-cm2/mg
- SET 和 SEFI 的 LET 特征值高達 43MeV-cm2/mg
- 每個晶圓批次的保障 TID 高達 30krad(Si)
- TID 特征值高達 30krad(Si)
- 增強型航天塑料（航天 EP）：
- 受控基線
- 一個封測廠
- 一個制造廠
- 延長的產品生命周期
- 產品可追溯性
- 集成自舉二極管
- 支持反相和同相 INLx 輸入
- 自舉柵極驅動架構
- 750mA 拉電流
- 1.5A 灌電流
- SHx 引腳具有低漏電流（小于 55μA）
- 絕對最大 BSTx 電壓高達 57.5V
- SHx 引腳瞬態負壓可達 -22V
- 內置跨導保護
- 固定插入 200ns 死區時間
- 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入（絕對最大值為 20V）
- 4ns 典型傳播延遲匹配
- 緊湊型 TSSOP 封裝
- 具有電源塊的高效系統設計
- 集成式保護功能
- BST 欠壓鎖定 (BSTUV)
- GVDD 欠壓 (GVDDUV)
DRV8351-SEP 是一款三相半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側 N 溝道功率 MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和外部電容為高側 MOSFET 生成合適的柵極驅動電壓。GVDD 用于為低側 MOSFET 生成柵極驅動電壓。此柵極驅動架構支持高達 750mA 的峰值拉電流和 1.5A 的峰值灌電流。
相位引腳 SHx 能夠承受顯著的瞬變負電壓；而高側柵極驅動器電源 BSTx 和 GHx 能夠支持更高的瞬變正電壓 (57.5V) 絕對最大電壓，從而提高系統的魯棒性。較小的傳播延遲和延遲匹配參數可盡可能降低死區時間要求，從而進一步提高效率。通過 GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側和高側提供欠壓保護。
技術文檔
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查看全部 5 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數據表 | DRV8351-SEP：40V 三相 BLDC 柵極驅動器 數據表 | PDF | HTML | 最新英語版本 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024年 12月 11日 |
| * | 輻射與可靠性報告 | DRV8351-SEP Single-Event Effects (SEE) Report | PDF | HTML | 2025年 1月 22日 | ||
| * | 輻射與可靠性報告 | DRV8351-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2025年 1月 21日 | ||
| * | 輻射與可靠性報告 | DRV8351-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report | PDF | HTML | 2024年 12月 12日 | ||
| 應用手冊 | 所選封裝材料的熱學和電學性質 | 2008年 10月 16日 |
設計和開發
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評估板
DRV8351EVM — DRV8351 評估模塊
DRV8351-SEP 評估模塊 (EVM) 是一款基于 DRV8351-SEP 柵極驅動器（適用于 BLDC 電機）的 30A 三相無刷直流驅動級。DRV8351-SEP 包含三個二極管用于自舉操作，因此無需使用外部二極管。此 EVM 包含三個電流分流放大器，可用于低側電流測量以及 PVDD/GVDD 電壓和電路板溫度反饋。可向此 EVM 提供高達 40V 的電壓，板載降壓器件可為自舉 GVDD 電源提供所需的 12V 電壓。包含所有電源的狀態 LED 以及故障 LED，用于提供用戶反饋。需要使用 C2000TM LaunchPadTM 開發套件 (LAUNCHXL-F280049C) (...)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| TSSOP (PW) | 20 | Ultra Librarian |
訂購和質量
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