DRV8351-SEP

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具有自舉二極管的耐輻射 40V 簡(jiǎn)單三相柵極驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品詳情

Rating Space Architecture Gate driver Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 57.5 Operating temperature range (°C) -55 to 125
Rating Space Architecture Gate driver Vs (min) (V) 5 Vs ABS (max) (V) 57.5 Operating temperature range (°C) -55 to 125
TSSOP (PW) 20 41.6 mm2 6.5 x 6.4
  • 40V 三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
    • 驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET (NMOS)
    • 柵極驅(qū)動(dòng)器電源 (GVDD):5-15V
    • MOSFET 電源 (SHx) 支持高達(dá) 40V 的電壓
  • 目標(biāo)輻射性能
    • SEL、SEB 和 SET 對(duì)于 LET 的抗擾度高達(dá) 43MeV-cm2/mg
    • SET 和 SEFI 的 LET 特征值高達(dá) 43MeV-cm2/mg
    • 每個(gè)晶圓批次的保障 TID 高達(dá) 30krad(Si)
    • TID 特征值高達(dá) 30krad(Si)
  • 增強(qiáng)型航天塑料(航天 EP):
    • 受控基線
    • 一個(gè)封測(cè)廠
    • 一個(gè)制造廠
    • 延長(zhǎng)的產(chǎn)品生命周期
    • 產(chǎn)品可追溯性
  • 集成自舉二極管
  • 支持反相和同相 INLx 輸入
  • 自舉柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
    • 750mA 拉電流
    • 1.5A 灌電流
  • SHx 引腳具有低漏電流(小于 55μA)
  • 絕對(duì)最大 BSTx 電壓高達(dá) 57.5V
  • SHx 引腳瞬態(tài)負(fù)壓可達(dá) -22V
  • 內(nèi)置跨導(dǎo)保護(hù)
  • 固定插入 200ns 死區(qū)時(shí)間
  • 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入(絕對(duì)最大值為 20V)
  • 4ns 典型傳播延遲匹配
  • 緊湊型 TSSOP 封裝
  • 具有電源塊的高效系統(tǒng)設(shè)計(jì)
  • 集成式保護(hù)功能
    • BST 欠壓鎖定 (BSTUV)
    • GVDD 欠壓 (GVDDUV)
  • 40V 三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
    • 驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET (NMOS)
    • 柵極驅(qū)動(dòng)器電源 (GVDD):5-15V
    • MOSFET 電源 (SHx) 支持高達(dá) 40V 的電壓
  • 目標(biāo)輻射性能
    • SEL、SEB 和 SET 對(duì)于 LET 的抗擾度高達(dá) 43MeV-cm2/mg
    • SET 和 SEFI 的 LET 特征值高達(dá) 43MeV-cm2/mg
    • 每個(gè)晶圓批次的保障 TID 高達(dá) 30krad(Si)
    • TID 特征值高達(dá) 30krad(Si)
  • 增強(qiáng)型航天塑料(航天 EP):
    • 受控基線
    • 一個(gè)封測(cè)廠
    • 一個(gè)制造廠
    • 延長(zhǎng)的產(chǎn)品生命周期
    • 產(chǎn)品可追溯性
  • 集成自舉二極管
  • 支持反相和同相 INLx 輸入
  • 自舉柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)
    • 750mA 拉電流
    • 1.5A 灌電流
  • SHx 引腳具有低漏電流(小于 55μA)
  • 絕對(duì)最大 BSTx 電壓高達(dá) 57.5V
  • SHx 引腳瞬態(tài)負(fù)壓可達(dá) -22V
  • 內(nèi)置跨導(dǎo)保護(hù)
  • 固定插入 200ns 死區(qū)時(shí)間
  • 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入(絕對(duì)最大值為 20V)
  • 4ns 典型傳播延遲匹配
  • 緊湊型 TSSOP 封裝
  • 具有電源塊的高效系統(tǒng)設(shè)計(jì)
  • 集成式保護(hù)功能
    • BST 欠壓鎖定 (BSTUV)
    • GVDD 欠壓 (GVDDUV)

DRV8351-SEP 是一款三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和外部電容為高側(cè) MOSFET 生成合適的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。GVDD 用于為低側(cè) MOSFET 生成柵極驅(qū)動(dòng)電壓。此柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的峰值拉電流和 1.5A 的峰值灌電流。

相位引腳 SHx 能夠承受顯著的瞬變負(fù)電壓;而高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器電源 BSTx 和 GHx 能夠支持更高的瞬變正電壓 (57.5V) 絕對(duì)最大電壓,從而提高系統(tǒng)的魯棒性。較小的傳播延遲和延遲匹配參數(shù)可盡可能降低死區(qū)時(shí)間要求,從而進(jìn)一步提高效率。通過(guò) GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側(cè)和高側(cè)提供欠壓保護(hù)。

DRV8351-SEP 是一款三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和外部電容為高側(cè) MOSFET 生成合適的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。GVDD 用于為低側(cè) MOSFET 生成柵極驅(qū)動(dòng)電壓。此柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的峰值拉電流和 1.5A 的峰值灌電流。

相位引腳 SHx 能夠承受顯著的瞬變負(fù)電壓;而高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器電源 BSTx 和 GHx 能夠支持更高的瞬變正電壓 (57.5V) 絕對(duì)最大電壓,從而提高系統(tǒng)的魯棒性。較小的傳播延遲和延遲匹配參數(shù)可盡可能降低死區(qū)時(shí)間要求,從而進(jìn)一步提高效率。通過(guò) GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側(cè)和高側(cè)提供欠壓保護(hù)。

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* 數(shù)據(jù)表 DRV8351-SEP:40V 三相 BLDC 柵極驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 最新英語(yǔ)版本 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 12月 11日
* 輻射與可靠性報(bào)告 DRV8351-SEP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2025年 1月 22日
* 輻射與可靠性報(bào)告 DRV8351-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 2025年 1月 21日
* 輻射與可靠性報(bào)告 DRV8351-SEP Total Ionizing Dose (TID) Report PDF | HTML 2024年 12月 12日
應(yīng)用手冊(cè) 所選封裝材料的熱學(xué)和電學(xué)性質(zhì) 2008年 10月 16日

設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)

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評(píng)估板

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