ZHCSUL8B December 2023 – September 2025 DRV8334
PRODUCTION DATA
“外部元件”部分列出了推薦使用的外部元件。請注意，以下電容被視為標稱條件下的有效電容。在選擇這些元件時，請考慮直流降額的影響。
| 元件 | PIN1 | PIN2 | 推薦 |
|---|---|---|---|
| RPVDD | VBAT | PVDD | 可選：1Ω（或更小）串聯電阻器 |
| CPVDD | PVDD | GND | 額定電壓適配 PVDD 的 10μF 陶瓷電容器。 |
| CGVDD | GVDD | GND | 額定電壓適配 GVDD 的 10μF 陶瓷電容器。 |
| CCP_FLY | CPH | CPL | 額定電壓適配 GVDD 電壓的 1.0μF 陶瓷電容器 |
| CCPT_FLY | CPTH | CPTL | 額定電壓適配 GVDD 電壓的 1.0μF 陶瓷電容器 |
| CVCP | VCP | VDRAIN | 額定電壓適配 VCP 電壓的 1.0μF 陶瓷電容器 |
| RnFAULT | VCCIO | nFAULT | 10kΩ 上拉 MCU I/O 電源 |
| CVREF | VREF | GND | 額定電壓為 VREF 的 0.1μF 陶瓷電容器 |
| CBULK | VMOTOR | GND | 100μF - 1000μF 的額定電壓需適配 VMOTOR；具體取決于系統配置 |
| CVDRAIN | VDRAIN | GND | 1μF 的額定電壓需適配 VDRAIN |
| CBST | BSTx | SHx | 在 BSTx 和 SHx 之間的 1.0μF、20V 陶瓷電容器，具體取決于外部 MOSFET Qg 的總柵極電荷。CBST > 20 X Qg / (VGHX-VSHx) |
| RBST | BSTx | SHx | 可選：BSTx 和 SHx 之間的 2Ω 串聯電阻器有助于防止 SHx 引腳上出現大負瞬變電壓時的 CBST 過充。 |
| RG | GHx、GLx | 外部旁 MOSFET 的柵極 | 可選：GHx/GLx 與外部 MOSFET 的柵極之間的 3Ω 串聯電阻器。 |
| RGS | GHx、GLx | 外部 MOSFET 的源極 | GHx/GLx 與外部 MOSFET 的源極之間的 100kΩ 下拉電阻器。 |
| RSENSE | SPx | SNx | 用于電流感測放大器的 0.5mΩ 分流電阻器。系統設計參數。 |
| RSO | MCU ADC | SOx | 電流感測放大器輸入濾波器為 160Ω |
| CSO | MCU ADC | GND | 用于電流感測放大器輸入濾波器、額定電壓適配 AREF 的 470pF 陶瓷電容器 |
| RSP、RSN | SPx/SNx | RSENSE | 可選：電流檢測放大器輸入濾波器為 10Ω。 |
| CSPSN | SPx | SNx | 可選：用于電流檢測放大器輸入濾波器的 1nF 陶瓷電容器。 |
| CSP、CSN | SPx/SNx | GND | 可選：用于電流檢測放大器輸入濾波器的 1nF 陶瓷電容器。 |