ZHCSUL8B December 2023 – September 2025 DRV8334
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規格
-
6 詳細說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 三相 BLDC 柵極驅動器
- 6.3.2 低側電流檢測放大器
- 6.3.3 柵極驅動器關斷
- 6.3.4
柵極驅動器保護電路
- 6.3.4.1 PVDD 電源欠壓警告 (PVDD_UVW)
- 6.3.4.2 PVDD 電源欠壓鎖定 (PVDD_UV)
- 6.3.4.3 PVDD 電源過壓故障 (PVDD_OV)
- 6.3.4.4 GVDD 欠壓鎖定 (GVDD_UV)
- 6.3.4.5 GVDD 過壓故障 (GVDD_OV)
- 6.3.4.6 BST 欠壓鎖定 (BST_UV)
- 6.3.4.7 BST 過壓故障 (BST_OV)
- 6.3.4.8 VCP 欠壓故障 (CP_OV)
- 6.3.4.9 VCP 過壓故障 (CP_OV)
- 6.3.4.10 VDRAIN 欠壓故障 (VDRAIN_UV)
- 6.3.4.11 VDRAIN 過壓故障 (VDRAIN_OV)
- 6.3.4.12 MOSFET VGS 監測保護
- 6.3.4.13 MOSFET VDS 過流保護 (VDS_OCP)
- 6.3.4.14 VSENSE 過流保護 (SEN_OCP)
- 6.3.4.15 相位比較器
- 6.3.4.16 熱關斷 (OTSD)
- 6.3.4.17 熱警告 (OTW)
- 6.3.4.18 OTP CRC
- 6.3.4.19 SPI 看門狗計時器
- 6.3.4.20 相位診斷
- 6.4 器件功能模式
- 6.5 編程
- 7 寄存器映射
- 8 應用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數據 (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
- PHP|48
訂購信息
6.3.4.12 MOSFET VGS 監測保護
DRV8334 采用集成式柵源電壓 (VGS) 監測器來監測外部 MOSFET 的狀態。當命令 MOSFET 的輸出狀態為關閉（INxx = 低電平）時，監測器會確保輸出保持關斷狀態。如果在任何時候，VGS 電壓超過 VGS 閾值的持續時間超過 tvgs_dg，則 nFAULT 引腳會被驅動為低電平，并為相應的輸出通道設置 VGS_XX 標志。當 MOSFET 的輸出狀態被命令為開啟（INxx = 高電平）時，監視器會驗證輸出是否開啟，以及 MOSFET 是否在足夠的 VGS 驅動下以實現強增強。如果在任何時候，VGS 降至 VGS 閾值以下的持續時間超過 tvgs_dg，則 nFAULT 引腳會被驅動為低電平，并為相應的輸出通道設置 VGS_XX 標志。VGS 監測消隱時間可以通過 VGS_BLK 寄存器字段進行調整。TI 建議根據外部 MOSFET 的預期開關時間設置該參數值。VGS 檢測抗尖峰脈沖時間可以通過 VGS_DEG 寄存器字段進行調整。在 PWM 上升/下降信號之后經過 VGS 消隱時間后，抗尖峰脈沖計時器才會啟動。TI 建議根據系統噪聲級別和可接受的容錯時序設置該參數值。
圖 6-16 DRV8334VGS 監測器
圖 6-17 DRV8334VGS 監測時序（輸出高電平）
圖 6-18 DRV8334VGS 監測時序（輸出低電平）