ZHCSLX9C July 2023 – July 2025 DRV8262
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 封裝散熱注意事項(xiàng)
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDW|44
訂購信息
5.5 電氣特性
典型值為 TA = 25°C 條件下的值。除非另有說明，否則所有限值都是推薦工作條件下的限值。
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓（VM、DVDD） | ||||||
| IVM | VM 工作電源電流 | nSLEEP = 1，無負(fù)載，VCC = 外部 5V |
5 |
8 |
mA | |
| nSLEEP = 1，無電機(jī)負(fù)載，VCC = DVDD |
8.5 |
13 |
||||
| IVMQ | VM 睡眠模式電源電流 | nSLEEP = 0 | 3 |
8 |
μA | |
| tSLEEP | 睡眠時(shí)間 | nSLEEP = 0 至睡眠模式 | 120 | μs | ||
| tRESET | nSLEEP 復(fù)位脈沖 | nSLEEP 低電平至清除故障 | 20 | 40 | μs | |
| tWAKE | 喚醒時(shí)間 | nSLEEP = 1 至輸出轉(zhuǎn)換 | 0.75 | 1 | ms | |
| tON | 導(dǎo)通時(shí)間 | VM > UVLO 至輸出轉(zhuǎn)換 | 0.8 | 1.3 | ms | |
| VDVDD | 內(nèi)部穩(wěn)壓器電壓 | 無外部負(fù)載，6V < VVM < 60V | 4.75 | 5 | 5.25 | V |
| 無外部負(fù)載，VVM = 4.5V |
4.3 |
4.45 |
V |
|||
| 電荷泵（VCP、CPH、CPL） | ||||||
| VVCP | VCP 工作電壓 | 6V < VVM < 60V | VVM + 5 | V | ||
| f(VCP) | 電荷泵開關(guān)頻率 | VVM > UVLO；nSLEEP = 1 | 360 | kHz | ||
| 邏輯電平輸入（IN1、IN2、IN3、IN4、OCPM、MODE1、MODE2、nSLEEP） | ||||||
| VIL | 輸入邏輯低電平電壓 | 0 | 0.6 | V | ||
| VIH | 輸入邏輯高電平電壓 | 1.5 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 輸入邏輯遲滯 | 100 | mV | |||
| VHYS _nSLEEP |
nSLEEP 邏輯遲滯 |
300 |
mV |
|||
| IIL | 輸入邏輯低電平電流（MODE2 除外） | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
| IIH | 輸入邏輯高電平電流（MODE2 除外） | VIN = 5V | 50 | μA | ||
| RPU | MODE2 內(nèi)部上拉電阻 |
220 |
kΩ | |||
|
tPDH1 |
INx 高電平到 OUTx 高電平傳播延遲 |
600 |
ns |
|||
|
tPDL1 |
INx 低電平到 OUTx 低電平傳播延遲 |
600 |
ns |
|||
| 三電平輸入 (DECAY) | ||||||
| VI1 | 輸入邏輯低電平電壓 | 連接至 GND |
0 |
0.6 |
V |
|
| VI2 | 輸入高阻抗電壓 | 高阻抗（>500k? 至 GND） |
1.8 |
2 |
2.2 |
V |
| VI3 | 輸入邏輯高電平電壓 | 連接至 DVDD |
2.7 |
5.5 |
V |
|
| IO | 輸出上拉電流 |
10.5 |
μA | |||
| 四電平輸入 (TOFF) | ||||||
| VI1 | 輸入邏輯低電平電壓 | 連接至 GND | 0 | 0.6 | V | |
| VI2 | 330k? ± 5% 至 GND | 1 | 1.25 | 1.4 | V | |
| VI3 | 輸入高阻抗電壓 | 高阻抗（>500k? 至 GND） | 1.8 | 2 | 2.2 | V |
| VI4 | 輸入邏輯高電平電壓 | 連接至 DVDD | 2.7 | 5.5 | V | |
| IO | 輸出上拉電流 | 10.5 | μA | |||
| 控制輸出 (nFAULT) | ||||||
| VOL | 輸出邏輯低電平電壓 | IO = 5mA | 0.3 | V | ||
| IOH | 輸出邏輯高電平漏電流 | -1 | 1 | μA | ||
| 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器輸出（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4） | ||||||
| RDS(ONH_DUAL) | 雙路 H 橋、高側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 |
TJ = 25°C、IO = -5A |
50 |
60 |
mΩ | |
| TJ = 125°C、IO = -5A |
75 |
94 |
mΩ | |||
| TJ = 150°C、IO = -5 A |
85 |
107 | mΩ | |||
| RDS(ONL_DUAL) | 雙路 H 橋、低側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | TJ = 25°C、IO = 5A |
50 |
60 |
mΩ | |
| TJ = 125°C、IO = 5A |
72 |
90 |
mΩ | |||
| TJ = 150°C、IO = 5 A |
80 |
100 | mΩ | |||
| RDS(ONH_SINGLE) | 單路 H 橋、高側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | TJ = 25°C、IO = -5A |
25 |
30 | mΩ | |
| TJ = 125°C、IO = -5A | 38 |
47 |
mΩ | |||
| TJ = 150°C、IO = -5A |
43 |
54 |
mΩ | |||
| RDS(ONL_SINGLE) | 單路 H 橋、低側(cè) FET 導(dǎo)通電阻 | TJ = 25°C、IO = 5A |
25 |
30 | mΩ | |
| TJ = 125°C、IO = 5A |
36 |
45 |
mΩ | |||
| TJ = 150°C、IO = 5 A |
40 |
50 |
mΩ | |||
|
ILEAK |
輸出漏電流至 GND |
睡眠模式，H 橋處于高阻態(tài)，VVM = 60V |
300 |
μA | ||
| tRF | 輸出上升/下降時(shí)間 | IO = 5A，介于 10% 和 90% 之間 |
110 |
ns | ||
|
tD |
輸出死區(qū)時(shí)間 |
VM = 24V，IO = 5A |
300 |
ns |
||
| 電流檢測和調(diào)節(jié)（IPROPI、VREF） | ||||||
|
AIPROPI |
電流鏡增益 |
212 |
μA/A | |||
|
AERR |
電流鏡比例誤差 |
10% 至 20% 額定電流 |
-12 |
12 |
% |
|
|
20% 至 40% 額定電流 |
-7 |
7 |
||||
|
40% 至 100% 額定電流 |
-4 |
4 |
||||
|
IVREF |
VREF 漏電流 |
VREF = 3.3V |
30 |
nA | ||
| tOFF | PWM 關(guān)斷時(shí)間 | TOFF = 0 | 7 | μs | ||
| TOFF = 1 | 16 | |||||
| TOFF = Hi-Z | 24 | |||||
| TOFF = 330kΩ 至 GND | 32 | |||||
|
tDEG |
電流調(diào)節(jié)抗尖峰脈沖時(shí)間 |
0.5 |
μs | |||
|
tBLK |
電流調(diào)節(jié)消隱時(shí)間 |
1.5 |
μs | |||
| 保護(hù)電路 | ||||||
| VUVLO | VM UVLO 鎖定 | VM 下降 | 4.1 | 4.25 | 4.35 | V |
| VM 上升 | 4.2 | 4.35 | 4.45 | |||
| VCCUVLO | VCC UVLO 鎖定 |
VCC 下降 |
2.7 |
2.8 |
2.9 |
V |
|
VCC 上升 |
2.8 |
2.9 |
3.05 |
|||
| VUVLO,HYS | 欠壓遲滯 | 上升至下降閾值 | 100 | mV | ||
| VCPUV | 電荷泵欠壓 | VCP 下降 | VVM + 2 | V | ||
| IOCP | 過流保護(hù)，DDW 封裝 | 雙路 H 橋，流經(jīng)任何 FET 的電流，DDW 封裝 |
8 |
A | ||
| 單路 H 橋，流經(jīng)任何 FET 的電流，DDW 封裝 |
16 |
A | ||||
| IOCP | 過流保護(hù)，DDV 封裝 | 雙路 H 橋，流經(jīng)任何 FET 的電流，DDV 封裝 |
16 |
A |
||
| 單路 H 橋，流經(jīng)任何 FET 的電流，DDV 封裝 |
32 |
A |
||||
| tOCP | 過流檢測延遲 |
2.1 |
μs | |||
|
tRETRY |
過流重試時(shí)間 |
4.1 |
ms |
|||
| TOTSD | 熱關(guān)斷 | 內(nèi)核溫度 TJ | 150 | 165 | 180 | °C |
| THYS_OTSD | 熱關(guān)斷遲滯 | 內(nèi)核溫度 TJ | 20 | °C | ||
(1) 經(jīng)設(shè)計(jì)驗(yàn)證。
圖 5-1 IPROPI 時(shí)序圖