基于熱模擬的信息
表 5-1 瞬態(tài)熱阻抗 (RθJA) 和電流能力RθJA [°C/W](1) | 配置 | 電流 (A)(2) |
沒有脈寬調(diào)制（PWM）(3) | 有脈寬調(diào)制（PWM）(4) |
0.1s | 1s | 10s | DC | 0.1s | 1s | 10s | DC | 10s | DC |
1.8 | 4.7 | 8.4 | 23.3 | 雙 H 橋（兩個(gè)輸出均加載相同的電流） | 8 | 5.7 | 4.2 | 2.5 | 4 | 2.2 |
| 雙 H 橋（僅一個(gè)輸出加載） | 8 | 8 | 6 | 3.5 | 5.4 | 3 |
| 單路 H 橋 | 16 | 11.3 | 8.4 | 4.9 | 7.9 | 4.4 |
(1) 使用 114.3mm x 76.2mm x 1.6mm 4 層 PCB 模擬 – 在頂層和底層使用 2oz 銅，在內(nèi)部平面上使用 1oz 銅，16cm2 頂層和底層銅面積，在散熱焊盤下方有 13 x 5 個(gè)散熱過孔陣列，1.1mm 間距，0.2mm 直徑，0.025mm 銅鍍層。
(2) 在 85°C 環(huán)境溫度下，估計(jì)結(jié)溫升高至 150°C 的瞬態(tài)電流能力。
(3) 只考慮 48V 電源電壓下的導(dǎo)通損耗 (I2R) 和靜態(tài)電流損耗。根據(jù)電氣特性表，考慮使用 150°C 時(shí)的最大導(dǎo)通電阻值計(jì)算導(dǎo)通損耗。
(4) 通過如下公式估計(jì)開關(guān)損耗：PSW = VVM x ILoad x fPWM x tRF，其中 VVM = 48V，fPWM = 20KHz，tRF = 110ns