ZHCSPR2C December 2021 – August 2022 DRV8243-Q1
PRODUCTION DATA
使用額定電壓為 VM、推薦值為 0.1 μF 的低 ESR 陶瓷旁路電容器將每個 VM 引腳旁路至接地。這些電容器應(yīng)盡可能靠近 VM 引腳放置，并通過較寬的引線或接地層連接至器件 GND 引腳。
需要額外的大容量電容器來繞過高電流路徑。放置此大容量電容器時應(yīng)做到盡可能縮短任何高電流路徑的長度。連接金屬走線應(yīng)盡可能寬，并具有許多連接 PCB 層的過孔。這些做法最大限度地減少了電感并允許大容量電容器提供高電流。
對于 SPI (P) 器件型號，可以使用一個推薦電容為 0.1μF 的低 ESR 陶瓷 6.3V 旁路電容器將 VDD 引腳旁路至接地。