UCC5871-Q1
- 分離輸出驅(qū)動器,以提供峰值為 30A 的拉電流和峰值為 30A 的灌電流
- 具有 150ns(最大值)傳播延遲和可編程最小脈沖抑制的互鎖和擊穿保護
- 支持初級側和次級側主動短路 (ASC)
- 可配置功率晶體管保護
- 基于 DESAT 的短路保護
- 基于分流電阻器的過流和短路保護
- 基于 NTC 的過熱保護
- 在功率晶體管發(fā)生故障時提供可編程軟關斷 (STO) 和兩級關斷 (2LTOFF) 保護
- 功能安全合規(guī)型
- 集成型診斷:
- 針對保護比較器的內(nèi)置自檢 (BIST)
- IN+ 至晶體管柵極路徑完整性
- 功率晶體管閾值監(jiān)測
- 內(nèi)部時鐘監(jiān)測
- 故障警報 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 輸出
- 用于米勒鉗位晶體管的集成式 4A 有源米勒鉗位或可選的外部驅(qū)動器
- 高級高壓鉗位控制
- 內(nèi)部和外部電源欠壓和過壓保護
- 有源輸出下拉特性,在低電源或輸入懸空的情況下默認輸出低電平
- 驅(qū)動器內(nèi)核溫度檢測和過熱保護
- 在 VCM = 1000V 時,共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
- 可通過 SPI 對器件進行重新配置、驗證、監(jiān)控和診斷
- 用于功率晶體管溫度、電壓、電流監(jiān)測的集成式 10 位 ADC
UCC5871-Q1 器件是一款高度可配置的隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專用于驅(qū)動 EV/HEV 應用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件提供功率晶體管保護,例如基于分流電阻器的過流保護、基于 NTC 的過熱保護以及 DESAT 檢測,還在這些故障期間提供可選的軟關斷或兩級關斷。為了進一步縮小應用尺寸, UCC5871-Q1 可在開關期間提供 4A 有源米勒鉗位,在驅(qū)動器未通電時提供有源柵極下拉。集成的 10 位 ADC 可用于監(jiān)控多達六個模擬輸入以及柵極驅(qū)動器溫度,從而增強系統(tǒng)管理。集成的診斷和檢測功能可簡化系統(tǒng)設計。這些功能的參數(shù)和閾值可使用 SPI 接口進行配置,因此該器件幾乎可與任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。
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設計和開發(fā)
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