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UCC5880-Q1

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具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅動器

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新 UCC5881-Q1 正在供貨 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅動器 UCC5881-Q1 offers 14x DESAT leading edge blanking settings, 5x DESAT deglitch filter settings, 16x DESAT threshold settings, and an INT_COMM fault filter

產品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Peak output current (source) (typ) (A) 20 Peak output current (sink) (typ) (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, SPI, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 12 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable TI functional safety category Functional Safety-Compliant
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Peak output current (source) (typ) (A) 20 Peak output current (sink) (typ) (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, SPI, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 12 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable TI functional safety category Functional Safety-Compliant
SSOP (DFC) 32 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 具有實時可變驅動強度的雙路輸出驅動器
    • ±15A 和 ±5A 驅動電流輸出
    • 用于在沒有 SPI 時進行驅動強度調整的數字輸入引腳 (GD*)
    • 3 電阻設置 R1、R2 或 R1||R2
    • 用于米勒鉗位晶體管的集成式 4A 有源米勒鉗位或可選的外部驅動器
  • 支持初級側和次級側主動短路 (ASC)
  • 內部和外部電源欠壓和過壓保護
  • 驅動器內核溫度檢測和過熱保護
  • 短路保護：
    • 針對 DESAT 事件具有 110ns 響應時間
    • DESAT 保護 – 可承受高達 14V 的電壓
    • 基于分流電阻器的短路 (SC) 和過流 (OC) 保護
    • 可配置保護閾值和消隱時間
    • 可編程軟關斷 (STO) 和兩級軟關斷 (2STO) 電流
  • 集成 10 位 ADC
    • 能夠測量電源開關溫度、直流鏈路電壓、驅動器內核溫度、DESAT 引腳電壓、VCC2 電壓
    • 可編程數字比較器
  • 高級 VCE/VDS 鉗位電路
  • 符合功能安全標準
  • 集成型診斷：
    • 針對保護比較器的內置自檢 (BIST)
    • 用于功率器件運行狀況監測的柵極閾值電壓測量
    • INP 至晶體管柵極路徑完整性
    • 內部時鐘監測
    • 故障警報和警告輸出 (nFLT*)
    • ISO 通信數據完整性檢查
  • 可通過 SPI 對器件進行重新配置、驗證、監控和診斷
  • 150V/ns CMTI
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C2b
  • 具有實時可變驅動強度的雙路輸出驅動器
    • ±15A 和 ±5A 驅動電流輸出
    • 用于在沒有 SPI 時進行驅動強度調整的數字輸入引腳 (GD*)
    • 3 電阻設置 R1、R2 或 R1||R2
    • 用于米勒鉗位晶體管的集成式 4A 有源米勒鉗位或可選的外部驅動器
  • 支持初級側和次級側主動短路 (ASC)
  • 內部和外部電源欠壓和過壓保護
  • 驅動器內核溫度檢測和過熱保護
  • 短路保護：
    • 針對 DESAT 事件具有 110ns 響應時間
    • DESAT 保護 – 可承受高達 14V 的電壓
    • 基于分流電阻器的短路 (SC) 和過流 (OC) 保護
    • 可配置保護閾值和消隱時間
    • 可編程軟關斷 (STO) 和兩級軟關斷 (2STO) 電流
  • 集成 10 位 ADC
    • 能夠測量電源開關溫度、直流鏈路電壓、驅動器內核溫度、DESAT 引腳電壓、VCC2 電壓
    • 可編程數字比較器
  • 高級 VCE/VDS 鉗位電路
  • 符合功能安全標準
  • 集成型診斷：
    • 針對保護比較器的內置自檢 (BIST)
    • 用于功率器件運行狀況監測的柵極閾值電壓測量
    • INP 至晶體管柵極路徑完整性
    • 內部時鐘監測
    • 故障警報和警告輸出 (nFLT*)
    • ISO 通信數據完整性檢查
  • 可通過 SPI 對器件進行重新配置、驗證、監控和診斷
  • 150V/ns CMTI
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C2b

UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔離式柵極驅動器，具有可調驅動強度，旨在電動汽車/混合動力汽車應用中用于驅動高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件提供功率晶體管保護功能，例如基于分流電阻的過流保護、過熱保護（PTC、NTC 或二極管）以及 DESAT 檢測，包括在這些故障期間可選擇的軟關斷或兩級軟關斷。集成的 10 位 ADC 可用于監控多達 2 個模擬輸入、VCC2、DESAT 以及柵極驅動器溫度，從而增強系統管理。集成的診斷和檢測功能可簡化符合 ASIL 標準的系統的設計。這些功能的參數和閾值可使用 SPI 進行配置，因此該器件幾乎可與任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔離式柵極驅動器，具有可調驅動強度，旨在電動汽車/混合動力汽車應用中用于驅動高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件提供功率晶體管保護功能，例如基于分流電阻的過流保護、過熱保護（PTC、NTC 或二極管）以及 DESAT 檢測，包括在這些故障期間可選擇的軟關斷或兩級軟關斷。集成的 10 位 ADC 可用于監控多達 2 個模擬輸入、VCC2、DESAT 以及柵極驅動器溫度，從而增強系統管理。集成的診斷和檢測功能可簡化符合 ASIL 標準的系統的設計。這些功能的參數和閾值可使用 SPI 進行配置，因此該器件幾乎可與任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。
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應用手冊 驅動芯片退飽和保護（DESAT）應用指導 2024年 1月 3日
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設計和開發

如需其他信息或資源，請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看（如有）。

評估板

UCC5880INVERTEREVM — UCC5880-Q1 用于牽引逆變器中的可變隔離式柵極驅動器評估模塊

UCC5880INVERTEREVM 板上可通過焊接 100nF 電容器負載，獨立用于測試 UCC5880-Q1 驅動器，也可用于直接驅動 Wolfspeed XM3 基于 SiC 的半橋電源模塊以進行高功率測試。該板上包含兩個 UCC14240-Q1 隔離式輔助電源。該 EVM 支持靈活配置不同的 SPI 通信方法，包括常規 SPI、菊花鏈和基于 TI 地址的 SPI。該 EVM 可與 Sitara™ 和 C2000™ 實時微控制器控制卡連接，用于高達 300kW 的三相逆變器測試

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評估板

UCC5880QEVM-057 — UCC5880-Q1 評估模塊

UCC5880-Q1 評估模塊專為評估 UCC5880-Q1 具有可調柵極驅動強度和高級保護功能的 20A 隔離式單通道柵極驅動器而設計。該柵極驅動器專用于驅動電動汽車/混合動力汽車應用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。UCC5880-Q1 驅動器級具有分離輸出雙路驅動器，可在不同應用條件下實現非常靈活的柵極驅動強度。包含多種保護功能，如有源米勒鉗位、DESAT 檢測或分流電流檢測、軟關斷或 2 級軟關斷、VCE 過壓保護、柵極驅動器電源 UVLO 和 OVLO 保護、溫度監測和熱關斷以及柵極監測等，適用于具有高可靠性要求的系統。該驅動器還通過串行外設接口 (SPI) (...)
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模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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參考設計

TIDM-02014 — 大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設計

TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統參考設計，該參考設計為 OEM 和設計工程師創建高性能、高效率的牽引逆變器系統并更快地將其推向市場提供了基礎。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統技術（包括用于驅動 Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實時可變柵極驅動強度的高性能隔離式柵極驅動器）如何通過降低電壓過沖來提高系統效率。隔離式柵極驅動器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用，可顯著減小 PCB 的大小，具體來說，PCB 面積縮小 2 倍以上，高度低于 4mm (...)
設計指南: PDF
參考設計

PMP31236 — 適用于 HybridPACK? Drive IGBT 模塊的柵極驅動器參考設計

本參考設計使用六個 UCC5880-Q1 柵極驅動 IC 和六個 LM5180-Q1 隔離式輔助電源，與 Infineon HybridPACK? 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 模塊連接并驅動該模塊。每個驅動器的隔離輸出電壓為 +15V 和 ?8V，最大輸出電流為 100mA。初級側的輸入電壓范圍為 8V 至 16V
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SSOP (DFC) 32 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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支持和培訓

視頻