ZHCUC75 August 2024 LMG2100R026
LMG2100R026 器件是一款 90V 連續 100V 脈沖式 53A 半橋功率級，具有集成柵極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。該器件包含兩個 100V GaN FET，它們采用半橋配置并由一個高頻 90V GaN FET 驅動器驅動。該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優勢。這為高頻、高功率密度和高效的電源轉換提供了出色的選擇。
LMG2100R026 采用 7mm x 4.5mm x 0.89mm 無鉛 QFN 封裝，頂部有裸露芯片用于進行冷卻。該器件的電源引腳經過優化，可輕松實現 PCB 布局，從而實現更小的電源環路。該器件支持適用于柵極信號的 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平。